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公开(公告)号:CN115774376A
公开(公告)日:2023-03-10
申请号:CN202211065588.X
申请日:2022-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供制造光刻掩模的方法和准备掩模数据的方法。制造光刻掩模的方法包括对掩模流片(MTO)设计布局执行掩模工艺校正(MPC)。执行MPC可包括识别多个单位单元(各自在MTO设计布局中迭代并且包括多个曲线图案),并且对多个单位单元中的至少一个执行基于模型的MPC。这些方法还可包括基于执行了MPC的MTO设计布局来执行电子束曝光。对多个单位单元中的至少一个执行基于模型的MPC可基于多个曲线图案的纵横比、大小、弯曲边缘的曲率、密度和占空比中的至少一个。
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公开(公告)号:CN115755515A
公开(公告)日:2023-03-07
申请号:CN202210935429.4
申请日:2022-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/00 , G03F1/50 , H01L21/027 , H10B12/00
Abstract: 提供了掩模版和使用该掩模版形成半导体器件中的图案的方法。所述掩模版包括:掩模基板;反射层,所述反射层位于所述掩模基板上;以及掩模图案,所述掩模图案位于所述反射层上,并且具有用于吸收光的图像图案和位于所述图像图案之间的第一图案,所述第一图案是开口,并且在俯视图中具有蜂窝状排列,使得七个所述第一图案布置在第一正六边形的相应的顶点和中心处,并且每个所述第一图案具有相对于所述第一正六边形旋转90度的第二正六边形的形状。
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公开(公告)号:CN109917621A
公开(公告)日:2019-06-21
申请号:CN201811375176.X
申请日:2018-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开涉及一种孔径光阑系统、电子束曝光装置以及电子束曝光装置系统。一种电子束装置的孔径光阑系统,包括:多个孔径光阑板,所述多个孔径光阑板中的每个孔径光阑板包括第一区域和第二区域,所述第一区域包括至少一个允许电子束穿过的通孔,所述第二区域设置在所述第一区域的外部并包括第一对准键和第二对准键,其中所述多个孔径光阑板中的两个光阑板包括布置在相互交叠的位置并且尺寸相同的所述第一对准键,所述多个孔径光阑板中的除所述两个孔径光阑板之外的孔径光阑板包括布置为与所述第一对准键交叠并且面积大于所述第一对准键的面积的所述第二对准键。
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公开(公告)号:CN109917621B
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN201811375176.X
申请日:2018-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开涉及一种孔径光阑系统、电子束曝光装置以及电子束曝光装置系统。一种电子束装置的孔径光阑系统,包括:多个孔径光阑板,所述多个孔径光阑板中的每个孔径光阑板包括第一区域和第二区域,所述第一区域包括至少一个允许电子束穿过的通孔,所述第二区域设置在所述第一区域的外部并包括第一对准键和第二对准键,其中所述多个孔径光阑板中的两个光阑板包括布置在相互交叠的位置并且尺寸相同的所述第一对准键,所述多个孔径光阑板中的除所述两个孔径光阑板之外的孔径光阑板包括布置为与所述第一对准键交叠并且面积大于所述第一对准键的面积的所述第二对准键。
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