公开(公告)号：CN1157772C

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN99109464.6

申请日：1999-05-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李柱亨 ,  洪雯杓 ,  尹灿宙 ,  郑柄厚 ,  黄长元

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 利用具有P-沟道薄膜晶体管和N-沟道薄膜晶体管的聚硅型薄膜晶体管液晶显示器中上栅极层与下栅极层之间蚀刻率的不同，可以形成带下凹之下栅极层的双栅极层。通过在N+离子注入过程中用上栅极层作为离子注入掩膜，可以很容易形成LDD结构。由上栅极层与下栅极层之间扭曲的大小确定LDD的尺寸。可以省去为了掩膜离子注入所需的额外光刻步骤。

公开(公告)号：CN1241025A

公开(公告)日：2000-01-12

申请号：CN99109464.6

申请日：1999-05-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李柱亨 ,  洪雯杓 ,  尹灿宙 ,  郑柄厚 ,  黄长元

IPC: H01L21/70

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 利用具有P－沟道薄膜晶体管和N－沟道薄膜晶体管的聚硅型薄膜晶体管液晶显示器中上栅极层与下栅极层之间蚀刻率的不同,可以形成带下凹之下栅极层的双栅极层。通过在N+离子注入过程中用上栅极层作为离子注入掩膜,可以很容易形成LDD结构。由上栅极层与下栅极层之间扭曲的大小确定LDD的尺寸。可以省去为了掩膜离子注入所需的额外光刻步骤。