公开(公告)号：CN110010604B

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN201811552330.6

申请日：2018-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金平浩 ,  具省模 ,  尹国汉 ,  金基烈 ,  金容焕

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。从衬底部分地刻蚀支撑层和模层，以在衬底上形成模制图案和支撑图案，使得接触孔穿过支撑图案和模制图案而形成，并且互连件通过接触孔而被暴露。在掩模图案上形成下电极层，以填充接触孔，并且通过部分地去除下电极层和掩模图案而形成接触孔中的下电极。下电极与互连件接触并由具有与支撑层相同厚度的支撑图案支撑。

公开(公告)号：CN110010604A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811552330.6

申请日：2018-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金平浩 ,  具省模 ,  尹国汉 ,  金基烈 ,  金容焕

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。从衬底部分地刻蚀支撑层和模层，以在衬底上形成模制图案和支撑图案，使得接触孔穿过支撑图案和模制图案而形成，并且互连件通过接触孔而被暴露。在掩模图案上形成下电极层，以填充接触孔，并且通过部分地去除下电极层和掩模图案而形成接触孔中的下电极。下电极与互连件接触并由具有与支撑层相同厚度的支撑图案支撑。

公开(公告)号：CN110047737B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN201910025952.1

申请日：2019-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹铉喆 ,  朴容臣 ,  金中熙 ,  金芝希 ,  申东准 ,  尹国汉 ,  崔泰燮 ,  黄晶铉

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  G03F7/42

Abstract: 公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上堆叠蚀刻目标层、第一掩模层、下层和光致抗蚀剂层；对光致抗蚀剂层照射极紫外(EUV)辐射，以形成光致抗蚀剂图案；以及在使用第一掩模层作为蚀刻停止层的同时，对光致抗蚀剂图案执行氮气等离子体处理，所述执行持续直到暴露第一掩模层的顶表面。在所述执行期间，下层被蚀刻以在光致抗蚀剂图案之下形成下图案。

公开(公告)号：CN110047737A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910025952.1

申请日：2019-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹铉喆 ,  朴容臣 ,  金中熙 ,  金芝希 ,  申东准 ,  尹国汉 ,  崔泰燮 ,  黄晶铉

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  G03F7/42

Abstract: 公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上堆叠蚀刻目标层、第一掩模层、下层和光致抗蚀剂层；对光致抗蚀剂层照射极紫外(EUV)辐射，以形成光致抗蚀剂图案；以及在使用第一掩模层作为蚀刻停止层的同时，对光致抗蚀剂图案执行氮气等离子体处理，所述执行持续直到暴露第一掩模层的顶表面。在所述执行期间，下层被蚀刻以在光致抗蚀剂图案之下形成下图案。