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公开(公告)号：CN119677100A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411270684.7
申请日：2024-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李泓浚 , 李基硕 , 金熙中 , 宋暎槿 , 李镕珍
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体装置包括位线、沟道、第一封盖图案、栅极绝缘图案、栅电极和电容器。位线位于衬底上，并且位线中的每一个在第一方向上延伸。位线在第二方向上彼此间隔开。沟道在第一方向上彼此间隔开。第一封盖图案位于沟道中的每一个的侧壁上。栅极绝缘图案位于第一封盖图案的侧壁上。栅电极位于栅极绝缘图案的侧壁上。电容器电连接到沟道中的相应的沟道。
