Patent search ap:("三星电子株式会社") AND inv:"宋成镐" Page 1

1.

发明公开
半导体器件及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN114078843A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110907987.5

申请日：2021-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋成镐 , 李钟汉 , 朴钟河 , 李载晛 , 白种勋 , 郑大木

IPC: H01L27/088 , H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括沿第一方向的第一区域和第二区域、以及在第一区域和第二区域之间的第三区域；有源图案，在衬底上沿第一方向延伸；以及第一栅电极至第三栅电极，在有源图案上彼此间隔开并且沿第二方向延伸，第一区域的有源图案包括彼此间隔开并且穿透第一栅电极的第一半导体图案，第二区域的有源图案包括彼此间隔开并且穿透第二栅电极的第二半导体图案，第三区域的有源图案包括过渡图案，过渡图案从衬底突出并且与第三栅电极相交，并且过渡图案包括牺牲图案和第三半导体图案，牺牲图案和第三半导体图案交替堆叠在第三区域上并且包括彼此不同的材料。

Patent Agency Ranking