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公开(公告)号:CN112825334A
公开(公告)日:2021-05-21
申请号:CN202011308208.1
申请日:2020-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置包括半导体衬底。漂移区设置在半导体衬底中。漂移区具有第一导电类型。主体区设置在半导体衬底中,邻近于漂移区。主体区具有第二导电类型。漏极区设置在漂移区中,与主体区相对。漏极隔离绝缘膜设置在邻近于漏极区的漂移区的一部分中。栅极绝缘膜设置在半导体衬底上,并且在主体区的一部分和漂移区的一部分上方延伸。栅电极设置在栅极绝缘膜上,并且栅电极具有至少一个闭合类型的开口。
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