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公开(公告)号：CN115942750A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210980368.3
申请日：2022-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成模结构，该模结构包括在第一方向上交替且重复地堆叠的电极间绝缘膜和牺牲膜；形成在第一方向上穿透模结构的沟道孔；在沟道孔内形成垂直沟道结构；去除牺牲膜以形成暴露垂直沟道结构的沟槽，该沟槽在垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及使用湿沉积工艺形成分别填充沟槽的金属线，每个金属线形成为单层。
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