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公开(公告)号:CN1514038A
公开(公告)日:2004-07-21
申请号:CN200310114708.1
申请日:2003-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J37/3423 , C23C14/048 , C23C14/3407
Abstract: 本发明公开了溅射用靶、溅射装置及溅射方法,溅射导体靶包括:中心部分;围绕中心部分并且比中心部分厚的边缘部分;以及位于中心部分和边缘部分之间的倾斜部分,倾斜部分与垂直于边缘部分顶表面的方向形成大约30°-70°的角。