公开(公告)号：CN1311596C

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200410032128.2

申请日：2004-04-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李定锡 ,  姜重求 ,  黄星泽

IPC: H01S5/50 ,  H01S5/10 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/0607 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1206 ,  H01S5/1237 ,  H01S5/125 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/50 ,  H01S5/5072

Abstract: 一种带有水平激射结构的增益钳制半导体光放大器，其中激光的振荡方向与信号的放大方向不同，以及制造增益钳制半导体光放大器的方法。增益钳制半导体光放大器包括增益层，用于放大光学信号。布拉格晶格层，沿着增益层的纵向形成于增益层的两侧，用于使具有相应波长的光在与增益层的纵向垂直的方向上谐振。无源光波导层，限制光在布拉格晶格层的晶格之间谐振。电极，提供电流给增益层，以及电流阻挡层，防止电流流到除增益层以外的区域。

公开(公告)号：CN1585218A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410032128.2

申请日：2004-04-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李定锡 ,  姜重求 ,  黄星泽

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/30 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/0607 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1206 ,  H01S5/1237 ,  H01S5/125 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/50 ,  H01S5/5072

Abstract: 一种带有水平激射结构的增益钳制半导体光放大器，其中激光的振荡方向与信号的放大方向不同，以及制造增益钳制半导体光放大器的方法。增益钳制半导体光放大器包括增益层，用于放大光学信号。布拉格晶格层，沿着增益层的纵向形成于增益层的两侧，用于使具有相应波长的光在与增益层的纵向垂直的方向上谐振。无源光波导层，限制光在布拉格晶格层的晶格之间谐振。电极，提供电流给增益层，以及电流阻挡层，防止电流流到除增益层以外的区域。