公开(公告)号：CN119155999A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202410758277.4

申请日：2024-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡教锡 ,  林兑旭 ,  李进成 ,  崔曦才 ,  韩正勋 ,  姜秉河 ,  慎奎泽 ,  郑信友

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底，包括限定有源区的器件隔离膜；以及在包括第一区域和第二区域的沟槽中的单元栅极结构，单元栅极结构延伸以与有源区交叉，单元栅极结构中的每个包括沿着沟槽的内侧壁延伸的单元栅极绝缘层、在沟槽的第一区域中在单元栅极绝缘层的侧壁上的第一栅极电介质膜、在沟槽的第二区域中在单元栅极绝缘层的侧壁上的第二栅极电介质膜、以及单元栅极电极结构，包括在第一区域中在第一栅极电介质膜的侧壁上的第一栅极电极层和在第二区域中在第二栅极电介质膜的侧壁上的第二栅极电极层。

公开(公告)号：CN116419565A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202310024066.3

申请日：2023-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗载元 ,  李盛三 ,  林兑旭 ,  姜秉河 ,  金刚泫

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：基底，包括第一有源区域和第二有源区域；位线结构，在基底上沿一个方向延伸，位线结构电连接到第一有源区域；存储节点接触件，在位线结构的侧壁上，存储节点接触件电连接到第二有源区域；间隔件结构，在位线结构和存储节点接触件之间；接合垫，在存储节点接触件上，接合垫与间隔件结构的侧壁接触；以及电容器结构，电连接到接合垫，其中，间隔件结构包括顺序地堆叠在位线结构的侧壁上的第一间隔件、第二间隔件、第三间隔件和第四间隔件，第二间隔件是空气间隔件，并且第三间隔件的厚度小于第一间隔件的厚度。