公开(公告)号：CN110117445A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910101169.9

申请日：2019-01-31

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 严明彻 ,  李惠卿 ,  姜昌根 ,  金宰贤 ,  吴敬日 ,  吴承根 ,  李治焕

IPC: C09D133/10 ,  C09D133/14 ,  H01L27/146

Abstract: 一种保护膜组合物包含具有以下式的聚合物：a、b及c中的每一者为摩尔分数；a+b+c＝1；0.05≤a/(a+b+c)≤0.3；0.1≤b/(a+b+c)≤0.6；0.1≤c/(a+b+c)≤0.6；R1、R2及R3中的每一者为氢原子或甲基；R4为氢原子、丁内酯基或者经取代或未经取代的C3到C30脂环族烃基；且R5为经取代或未经取代的C6到C30线状或环状烃基。一种制造半导体封装的方法包括：使用保护膜组合物在半导体结构上形成锯切保护膜；以及从锯切保护膜对锯切保护膜及半导体结构进行锯切。

公开(公告)号：CN110117445B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN201910101169.9

申请日：2019-01-31

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 严明彻 ,  李惠卿 ,  姜昌根 ,  金宰贤 ,  吴敬日 ,  吴承根 ,  李治焕

IPC: C09D133/10 ,  C09D133/14 ,  H01L27/146

Abstract: 一种保护膜组合物包含具有以下式的聚合物：a、b及c中的每一者为摩尔分数；a+b+c＝1；0.05≤a/(a+b+c)≤0.3；0.1≤b/(a+b+c)≤0.6；0.1≤c/(a+b+c)≤0.6；R1、R2及R3中的每一者为氢原子或甲基；R4为氢原子、丁内酯基或者经取代或未经取代的C3到C30脂环族烃基；且R5为经取代或未经取代的C6到C30线状或环状烃基。一种制造半导体封装的方法包括：使用保护膜组合物在半导体结构上形成锯切保护膜；以及从锯切保护膜对锯切保护膜及半导体结构进行锯切。

公开(公告)号：CN118053832A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311304613.X

申请日：2023-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜昌根 ,  金泰亨 ,  朴美蕙

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了一种半导体封装器件的接合结构、半导体封装器件和用于制造半导体封装器件的方法。所述接合结构物理连接和电连接在半导体芯片与封装基底之间和/或封装基底与板之间，所述接合结构包括：焊料；主焊盘，面对焊料；以及导电支撑结构，连接在焊料与主焊盘之间，导电支撑结构包括：子焊盘，接合到焊料，子焊盘与主焊盘间隔开并且面对主焊盘；以及至少一个腿部，从子焊盘延伸到主焊盘。