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公开(公告)号:CN1892912B
公开(公告)日:2011-02-23
申请号:CN200610101125.9
申请日:2006-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3413 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2211/5621 , G11C2211/5641 , G11C2211/5642
Abstract: 一种非易失性存储设备,其包括非易失性存储单元阵列和页面缓冲器。该页面缓冲器包括:感测节点,其选择性地连接到存储单元阵列的位线;主锁存电路,其包括第一和第二主锁存节点,其中第一主锁存节点选择性地连接到感测节点;和锁存输入节点,其选择性地连接到第一和第二主锁存节点。该页面缓冲器还包括:高速缓存锁存电路,其包括第一和第二高速缓存锁存节点;开关电路,其将第二高速缓存锁存节点选择性地连接到锁存输入节点;和共享感测电路,其连接于锁存输入节点与参考电位之间。该共享感测电路响应于感测节点的电压和第一高速缓存锁存节点的电压,将锁存输入节点选择性地连接到参考电位。
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公开(公告)号:CN1892912A
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200610101125.9
申请日:2006-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3413 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2211/5621 , G11C2211/5641 , G11C2211/5642
Abstract: 一种非易失性存储设备,其包括非易失性存储单元阵列和页面缓冲器。该页面缓冲器包括:感测节点,其选择性地连接到存储单元阵列的位线;主锁存电路,其包括第一和第二主锁存节点,其中第一主锁存节点选择性地连接到感测节点;和锁存输入节点,其选择性地连接到第一和第二主锁存节点。该页面缓冲器还包括:高速缓存锁存电路,其包括第一和第二高速缓存锁存节点;开关电路,其将第二高速缓存锁存节点选择性地连接到锁存输入节点;和共享感测电路,其连接于锁存输入节点与参考电位之间。该共享感测电路响应于感测节点的电压和第一高速缓存锁存节点的电压,将锁存输入节点选择性地连接到参考电位。
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