公开(公告)号：CN111146180B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN201911074999.3

申请日：2019-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永培 ,  哈索诺·西姆卡 ,  李钟弦

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了集成电路器件及其形成方法。形成集成电路器件的方法可以包括：在衬底上形成第一绝缘层和第一导电层，并在第一绝缘层上选择性地形成第二绝缘层。第一绝缘层可以包括凹部，且第一导电层可以在第一绝缘层的凹部中。第二绝缘层可以包括暴露第一导电层的表面的第一开口。该方法还可以包括：在第二绝缘层和第一导电层上形成第三绝缘层；形成延伸穿过第三绝缘层并暴露第一导电层的第二开口；以及在第二开口中形成第二导电层。

公开(公告)号：CN111146180A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201911074999.3

申请日：2019-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永培 ,  哈索诺·西姆卡 ,  李钟弦

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了集成电路器件及其形成方法。形成集成电路器件的方法可以包括：在衬底上形成第一绝缘层和第一导电层，并在第一绝缘层上选择性地形成第二绝缘层。第一绝缘层可以包括凹部，且第一导电层可以在第一绝缘层的凹部中。第二绝缘层可以包括暴露第一导电层的表面的第一开口。该方法还可以包括：在第二绝缘层和第一导电层上形成第三绝缘层；形成延伸穿过第三绝缘层并暴露第一导电层的第二开口；以及在第二开口中形成第二导电层。