公开(公告)号：CN1189921C

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN96112929.8

申请日：1996-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴相根 ,  文常营 ,  金定坤 ,  金度亨

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/057

Abstract: 一种离子注入机和一种对正离子和负离子均适用的离子注入方法。该离子注入机具有：离子分离器；质量分析器，用于按照预定方向偏转由离子分离器导入的离子，而无论离子的带电状态如何；以及极性转换器，用于按照离子的带电状态来改变质量分析器中磁场的通量方向。因此，不用更换离子注入机，就能在晶片中形成浅杂质层和深杂质层，使得仅用一台离子注入机就能注入BF+和B+或P+，结果，半导体器件的产量可以被提高。

公开(公告)号：CN1159074A

公开(公告)日：1997-09-10

申请号：CN96112929.8

申请日：1996-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴相根 ,  文常营 ,  金定坤 ,  金度亨

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/057

Abstract: 一种离子注入机和一种对正离子和负离子均适用的离子注入方法。该离子注入机具有：离子分离器；质量分析器，用于按照预定方向偏转由离子分离器导入的离子，而无论离子的带电状态如何；以及极性转换器，用于按照离子的带电状态来改变质量分析器中磁场的通量方向。因此，不用更换离子注入机，就能在晶片中形成浅杂质层和深杂质层，使得仅用一台离子注入机就能注入BF+和B+或P+，结果，半导体器件的产量可以被提高。