公开(公告)号：CN118363522A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202311591945.0

申请日：2023-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千大成 ,  吴泳录

IPC: G06F3/06 ,  G06F13/16 ,  G06F12/02

Abstract: 公开了一种存储设备，该存储设备包括非易失性存储器设备、温度传感器和从温度传感器接收温度信息的存储控制器。多个存储器块中的每个被分配给多个区域中的一个，并且存储控制器执行第一区域重新分配操作，以将具有更低温度的非易失性存储器设备的块重新分配给具有更高命中率的区域，并且将具有更高温度的非易失性存储器设备的块重新分配给具有更低命中率的区域。存储控制器基于区域的命中率信息执行第一区域评级以生成第一表，基于温度信息执行第一存储器评级以生成第二表，并且基于第一表和第二表执行第一区域重新分配操作。

公开(公告)号：CN115223603A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210408651.9

申请日：2022-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁海净 ,  姜熙烨 ,  吴泳录 ,  李基泽 ,  李熙哲

IPC: G11C7/04 ,  G11C7/22 ,  G11C16/34 ,  G11C16/32

Abstract: 提供了一种存储装置、操作存储装置的方法和提供多个性能表的方法。该存储装置包括：至少一个非易失性存储器装置；第一温度传感器和第二温度传感器，其布置为邻近至少一个非易失性存储器装置；以及控制器，其被配置为基于多个性能表、由第一温度传感器检测到的第一温度和由第二温度传感器检测到的第二温度来控制至少一个非易失性存储器装置的操作性能水平。多个性能表中的每一个包括多个条目，多个条目中的每一个包括关于至少一个非易失性存储器装置的操作性能水平的信息。多个性能表中的每一个对应于关于第一温度和第二温度的计算的结果。

公开(公告)号：CN112103257A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010134175.7

申请日：2020-03-02

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 李应彰 ,  姜熙烨 ,  梁海净 ,  吴泳录 ,  李基泽 ,  李奉载

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L25/07

Abstract: 提供了半导体封装件和半导体装置。所述半导体封装件包括：半导体芯片；和聚二甲基硅氧烷(PDMS)层，所述聚二甲基硅氧烷层设置在所述半导体芯片上，所述聚二甲基硅氧烷层的上表面暴露于外部。由于半导体封装件可以包括PDMS层，所以半导体封装件在真空状态下的散热性能可以改善。