公开(公告)号：CN118213375A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202311047248.9

申请日：2023-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李大炯 ,  吴官泳

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括至少一个像素，并且所述至少一个像素包括在具有第一表面和第二表面的半导体基底中的光电转换区域、在半导体基底中与光电转换区域间隔开的浮置扩散区域以及从半导体基底的第一表面延伸到半导体基底中的垂直传输栅电极。传输沟道在光电转换区域与浮置扩散区域之间。

公开(公告)号：CN118398631A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410041710.2

申请日：2024-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善玉 ,  吴官泳 ,  金亨彩 ,  张东宁

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：包括像素部分的衬底和设置在所述衬底中并且围绕所述像素部分的分隔图案。所述分隔图案包括在第一方向上延伸的第一子分隔图案和在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的第二子分隔图案。所述像素部分包括限定所述像素部分中的有源区的器件隔离图案和位于所述有源区上的至少一个栅极图案。所述栅极图案沿着第三方向从所述第一子分隔图案经过所述有源区和所述器件隔离图案延伸到所述第二子分隔图案。所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向相交。所述栅极图案具有彼此相反的第一表面和第二表面。所述第一表面从所述第一子分隔图案直线地延伸到所述第二子分隔图案。

公开(公告)号：CN118231424A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311740759.9

申请日：2023-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李大炯 ,  吴官泳

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供图像传感器的像素和背照式图像传感器。该像素包括：半导体基板，其包括第一表面和第二表面；光电转换区，其形成在半导体基板的第一表面和第二表面之间；浮置扩散区，其形成在第一表面上，并在竖直方向上与光电转换区间隔开；第一竖直传输栅极，其形成在从半导体基板的第一表面延伸到半导体基板的内部的凹陷内，并在光电转换区和浮置扩散区之间形成第一传输通道，其中，第一竖直传输栅极可具有相对于第一表面以小于90度的第一角度倾斜的结构。

公开(公告)号：CN115207009A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210338610.7

申请日：2022-04-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴官泳 ,  金美惠 ,  朴东赫 ,  朴智元 ,  李承旭 ,  李海源

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：第一浮动扩散区；第二浮动扩散区，其在第一方向上与第一浮动扩散区相邻；第三浮动扩散区，其在垂直于第一方向的第二方向上与第一浮动扩散区相邻；以及第四浮动扩散区，其在第二方向上与第二浮动扩散区相邻。焊盘设置在第一浮动扩散区和第二浮动扩散区上。焊盘至少部分地与第一浮动扩散区和第二浮动扩散区重叠。图像传感器包括互连线以及将焊盘连接至互连线的第一接触件。焊盘的第一表面设置在第一浮动扩散区和第二浮动扩散区上。器件隔离图案限定第一浮动扩散区、第二浮动扩散区、第三浮动扩散区和第四浮动扩散区。