公开(公告)号：CN111490052B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202010142068.9

申请日：2016-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承民 ,  赵厚成 ,  南祯硕 ,  李钟旻 ,  崔容准

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11556 ,  H01L23/544

Abstract: 本公开提供了垂直存储器件。一种垂直存储器件包括：基板；多个沟道，在基板上并在垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸；多条栅线，在基板上层叠在彼此之上；多条布线，在栅线上方并电连接到栅线；以及识别图案，在基板上处于与布线中的至少一条的层级相同的层级。栅线围绕沟道。栅线沿着第一方向彼此间隔开。

公开(公告)号：CN106847823A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201610878702.9

申请日：2016-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承民 ,  赵厚成 ,  南祯硕 ,  李钟旻 ,  崔容准

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11556 ,  H01L23/544

Abstract: 本公开提供了垂直存储器件。一种垂直存储器件包括：基板；多个沟道，在基板上并在垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸；多条栅线，在基板上层叠在彼此之上；多条布线，在栅线上方并电连接到栅线；以及识别图案，在基板上处于与布线中的至少一条的层级相同的层级。栅线围绕沟道。栅线沿着第一方向彼此间隔开。

公开(公告)号：CN111490052A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010142068.9

申请日：2016-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承民 ,  赵厚成 ,  南祯硕 ,  李钟旻 ,  崔容准

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11556 ,  H01L23/544

Abstract: 本公开提供了垂直存储器件。一种垂直存储器件包括：基板；多个沟道，在基板上并在垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸；多条栅线，在基板上层叠在彼此之上；多条布线，在栅线上方并电连接到栅线；以及识别图案，在基板上处于与布线中的至少一条的层级相同的层级。栅线围绕沟道。栅线沿着第一方向彼此间隔开。

公开(公告)号：CN106847823B

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201610878702.9

申请日：2016-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承民 ,  赵厚成 ,  南祯硕 ,  李钟旻 ,  崔容准

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11556 ,  H01L23/544

Abstract: 本公开提供了垂直存储器件。一种垂直存储器件包括：基板；多个沟道，在基板上并在垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸；多条栅线，在基板上层叠在彼此之上；多条布线，在栅线上方并电连接到栅线；以及识别图案，在基板上处于与布线中的至少一条的层级相同的层级。栅线围绕沟道。栅线沿着第一方向彼此间隔开。