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发明公开
间距游走检查方法和包括检查方法的半导体装置制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN116581042A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202211672593.7

申请日：2022-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南成旻 , 郑在昇 , 金东浩 , 梁承薰

IPC: H01L21/66

Abstract: 提供了间距游走检查方法和制造半导体装置的方法。间距游走检查方法包括：获得通过多重图案化技术(MPT)形成的线和间隔(L/S)图案的扫描电子显微镜(SEM)图像，其中L/S图案包括交替地布置的多条线和间隔；检测SEM图像中的L/S图案的主间距；基于MPT将主间距的曲线图划分为分量间距的曲线图；对每个分量间距的曲线图执行快速傅里叶变换(FFT)；将每个分量间距的曲线图的FFT的相位曲线图和强度曲线图彼此相乘，并且获得经补偿的FFT相位曲线图；以及通过获得经补偿的FFT相位曲线图的相位峰值之间的差来计算L/S图案的间距游走。

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