Patent search ap:("三星电子株式会社") AND inv:"南廷勋" Page 1

1.

发明公开
表面处理的方法审中-公开

公开(公告)号：CN119020778A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410577132.4

申请日：2024-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王允宣 , 南廷勋 , 金永权 , 崔玹瑞 , 金建佑 , 成德镛 , 任埈澔

IPC: C23C26/00 , H01L21/67

Abstract: 一种表面处理的方法包括：在第一工艺室中提供部件；利用连接到所述第一工艺室的远程等离子体源生成氟等离子体；以及通过向所述第一工艺室提供所述氟等离子体在所述部件的表面上形成保护层，其中所述保护层包括氟化镁，其中所述部件的镁含量为约0.5wt％至约5.5wt％，并且其中所述保护层的厚度为约100nm至约300nm。

Patent Agency Ranking