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发明公开
半导体存储器件和包括该半导体存储器件的电子系统审中-公开

公开(公告)号：CN119451125A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410982377.5

申请日：2024-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 明一镐 , 劳寿星 , 李承民 , 韩相宇

IPC: H10B51/50 , H10B51/30 , H10B51/20

Abstract: 一种半导体存储器件，包括：衬底；模制结构，包括交替地堆叠在衬底上的多个栅电极和多个模制绝缘膜；沟道结构，在第一方向上延伸并穿透模制结构，该沟道结构包括半导体图案、以及在半导体图案与多个栅电极之间的铁电膜；沟道焊盘，在沟道结构上；以及位线接触部，连接到沟道焊盘，其中，铁电膜的最上部突出超过多个栅电极之中的最上面的栅电极，沟道焊盘包括与半导体图案接触的第一部分、以及与第一部分和位线接触部接触的第二部分，第一部分具有第一宽度，并且第二部分具有比第一宽度大的第二宽度。

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