公开(公告)号：CN106847338B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201611079351.1

申请日：2016-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟哲 ,  刘玹映 ,  朴商秀

IPC: G11C16/26

Abstract: 本发明提供了非易失性存储器装置、存储器系统及操作它们的方法。提供了如下一种操作包括三维(3D)存储器单元阵列的非易失性存储器装置的方法。利用第一读电压电平对连接至第一字线的第一存储器单元执行第一读操作。如果第一读操作失败，则对第一存储器单元执行读重试操作，以将读重试电压电平设为第二读电压电平。基于第一读电压电平与第二读电压电平之间的差来确定读偏移表。读偏移表存储多个读电压偏移。利用通过利用读偏移表确定的第三读电压电平对连接至第二字线的第二存储器单元执行第二读操作。

公开(公告)号：CN106847338A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201611079351.1

申请日：2016-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟哲 ,  刘玹映 ,  朴商秀

IPC: G11C16/26

Abstract: 本发明提供了非易失性存储器装置、存储器系统及操作它们的方法。提供了如下一种操作包括三维(3D)存储器单元阵列的非易失性存储器装置的方法。利用第一读电压电平对连接至第一字线的第一存储器单元执行第一读操作。如果第一读操作失败，则对第一存储器单元执行读重试操作，以将读重试电压电平设为第二读电压电平。基于第一读电压电平与第二读电压电平之间的差来确定读偏移表。读偏移表存储多个读电压偏移。利用通过利用读偏移表确定的第三读电压电平对连接至第二字线的第二存储器单元执行第二读操作。