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公开(公告)号：CN115224045A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210378667.X
申请日：2022-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/108 , G11C5/02
Abstract: 提供了一种半导体装置以及一种包括半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置包括下结构和上结构。下结构包括：半导体基底；电路元件，位于半导体基底上；电路互连结构，位于半导体基底上，电路互连结构包括位于不同水平上并且电连接到电路元件的多个连接图案；以及下绝缘结构，覆盖电路元件和电路互连结构。上结构包括：上基底，与下绝缘结构的上表面接触；堆叠结构，位于上基底上，堆叠结构包括在竖直方向上交替地堆叠的层间绝缘层和栅电极；以及垂直存储器结构，在竖直方向上穿过堆叠结构。
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