公开(公告)号：CN114582879A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111305802.X

申请日：2021-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔茂林 ,  成政泰 ,  尹尚希 ,  全祐用 ,  崔峻荣 ,  黄允照

IPC: H01L27/11529 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L25/18

Abstract: 一种非易失性存储器装置包括第一结构和键合到第一结构的第二结构。第二结构包括：低电阻导电层；公共源极线层，其位于低电阻导电层上；堆叠结构，其位于公共源极线层上方；多个沟道结构，其穿过堆叠结构的单元区域，并且接触公共源极线层；虚设沟道结构，其穿过堆叠结构的台阶区域，并且接触公共源极线层；第二绝缘结构，其位于堆叠结构上；多个第二键合焊盘，其位于第二绝缘结构上；以及第二互连结构，其位于第二绝缘结构中。

公开(公告)号：CN117042457A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310354514.6

申请日：2023-04-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全祐用 ,  崔茂林

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/50 ,  H10B43/35 ,  H10B41/27 ,  H10B41/50 ,  H10B41/35

Abstract: 提供了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；绝缘图案，在基底中；栅电极，设置在基底下方，并且在与基底的下表面垂直的第一方向上彼此间隔开，栅电极包括在第二区域下方以阶梯形状布置的垫区域；栅极接触插塞，穿过栅电极的垫区域，在第一方向上延伸，并且与绝缘图案竖直叠置；以及外围接触插塞，设置在基底的外部区域中，并且从比栅电极中的最下面的栅电极的水平低的水平延伸到比基底的下表面高的水平；以及导电图案，包括设置在外围接触插塞上并与外围接触插塞连接的第一导电图案和设置在基底上并与基底连接的第二导电图案。

公开(公告)号：CN115811885A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202211113052.0

申请日：2022-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志泳 ,  崔茂林 ,  崔峻荣 ,  成政泰 ,  尹尚希 ,  全祐用

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/50 ,  H10B43/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/50 ,  H10B41/27

Abstract: 一种制造三维半导体存储器装置的方法包括在第一基板的第一表面上形成外围电路结构，在第二基板的第一表面上形成单元阵列结构，以及将单元阵列结构附接到外围电路结构，使得第一基板的第一表面和第二基板的第一表面彼此面对。单元阵列结构可以通过在第二基板上形成背侧通路和初步接触焊盘并形成半导体层来形成。孔可以形成为穿透半导体层并暴露初步接触焊盘，并且可以通过去除初步接触焊盘的上部而形成，从而形成与半导体层分离的接触焊盘。该方法可以进一步包括在半导体层上形成堆叠、在堆叠上形成绝缘层、以及形成穿透绝缘层并连接到接触焊盘的接触插塞。

公开(公告)号：CN116744685A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310246521.4

申请日：2023-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全祐用 ,  金恩知 ,  金志泳 ,  崔茂林

IPC: H10B41/40 ,  H10B41/20 ,  H10B43/40 ,  H10B43/20

Abstract: 一种半导体存储器件，包括：外围电路结构，包括外围电路和第一接合焊盘，第一接合焊盘连接到外围电路；外围电路结构上的单元结构，单元结构包括接合到第一接合焊盘的第二接合焊盘；以及单元结构上的焊盘结构。单元结构包括具有第一面以及与第一面相对的第二面的单元衬底、延伸穿过单元衬底并连接到电极层的第一接触插塞、以及延伸穿过单元衬底并连接到单元衬底的第二接触插塞。第一接触插塞和第二接触插塞中的每一个连接到焊盘结构，并且旁路过孔在第二面上与焊盘结构接触。

公开(公告)号：CN115249714A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210187003.5

申请日：2022-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全祐用 ,  崔茂林

IPC: H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/108 ,  H01L25/18

Abstract: 公开了一种半导体器件和包括其的电子系统。所述半导体器件可以包括：外围电路结构，所述外围电路结构包括位于半导体衬底上的外围电路和电连接到所述外围电路的第一接合焊盘；以及单元阵列结构，所述单元阵列结构包括存储单元阵列和第二接合焊盘，所述存储单元阵列包括三维地布置在半导体层上的存储单元，所述第二接合焊盘电连接到所述存储单元阵列并耦接到所述第一接合焊盘。所述单元阵列结构还可以包括：电阻器图案，所述电阻器图案位于与所述半导体层相同的水平高度。所述存储单元包括：堆叠件，所述堆叠件包括垂直地且交替地堆叠在所述半导体层上的绝缘层和电极；以及垂直结构，所述垂直结构穿透所述堆叠件。