公开(公告)号：CN1881086A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610092512.0

申请日：2006-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许圣民 ,  金熙范 ,  李东根 ,  全爘旭

IPC: G03F7/14 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70425 ,  G03F1/50 ,  G03F7/70125 ,  G03F7/70566

Abstract: 根据本发明的光掩模根据使用光掩模所形成的图像类型的照射类型提供选择性区域优化。光掩模包括光偏振结构，其偏振入射到偏振结构的光。来自光刻曝光系统中的源的第一照射类型的光入射到光掩模。部分光入射到包括偏振结构的光掩模的区域，并且光的另一部分入射到不包括偏振结构的光掩模的另一区域。将入射到偏振结构的光的照射类型改变为第二照射类型，使得来自具有偏振结构的光掩模区域的入射到例如集成电路晶片衬底的光是第二照射类型。没有入射到偏振结构的部分光的照射类型没有改变，使得来自光掩模的该部分的入射到晶片的另一部分的光是第一类型。通过选择性地区域地控制光刻工序中的照射类型，在晶片的整个区域中优化曝光系统的分辨率。