公开(公告)号：CN1971424A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610110078.4

申请日：2006-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 夏政焕 ,  蔡允淑 ,  赵汉九 ,  姜昌珍 ,  禹相均 ,  柳万馨 ,  丁荣载

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/091 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/32139

Abstract: 该半导体结构包括将被构图的刻蚀目标层、多个底部抗反射涂层(BARC)层以及光刻胶(PR)图形。多重BARC层包括形成在刻蚀目标层上并包含碳的第一掩模层，以及形成在第一掩模层上并包含硅的第二掩模层。形成在多重BARC层上的PR层经历光刻，以在多重BARC层上形成PR图形。多重BARC层具有2％以下的反射率，以及PR图形和多重BARC层之间的界面角度是80°至90°。