公开(公告)号：CN1832110A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200510131733.X

申请日：2005-12-16

Applicant: 三星康宁株式会社

Inventor： 朴性秀

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/04 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 提供了一种用于形成高质量外延生长半导体晶片的外延生长方法。该方法包括：在单晶晶片上形成单晶层；在单晶层上形成具有纳米尺寸点的掩模层；通过蚀刻掩模层和单晶层的表面形成具有纳米尺寸气孔的多孔缓冲层；退火多孔缓冲层；以及利用外延生长工艺在多孔缓冲层上形成外延材料层。根据本发明，利用刻蚀工艺在单晶晶片上形成了具有多孔缓冲层的外延材料层。由于该多孔缓冲层是利用刻蚀工艺和退火工艺形成的，因此晶片可以由多种材料形成。而且，本发明降低了外延生长衬底的缺陷密度、应力和弯曲程度，从而能够形成高质量的半导体晶片并提高成品率。

公开(公告)号：CN1996626A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200610081818.6

申请日：2006-05-12

Applicant: 三星康宁株式会社

Inventor： 朴性秀

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16

Abstract: 提供了一种高功率和长寿命的氮化物基发光器件及其制造方法。该氮化物基发光器件包括：形成于单晶晶片上的n覆层；通过在HCl和NH3的混合气体气氛下从顶表面处理该n覆层至预定深度而形成的多孔层；以及依次形成于所述多孔层上的有源层和p覆层。

公开(公告)号：CN1812053A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510131615.9

申请日：2005-12-15

Applicant: 三星康宁株式会社

Inventor： 朴性秀

IPC: H01L21/20 ,  C30B25/02

CPC classification number: C30B25/183 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明提供一种用于形成高质量外延生长半导体晶片的外延生长方法。该方法包括：在单晶晶片上形成具有纳米尺寸的点的掩模层；通过蚀刻该掩模层和该晶片的表面在该单晶晶片的表面上形成具有纳米尺寸的孔的多孔层；利用外延生长工艺在该多孔层上形成外延材料层；以及退火该外延材料层。