公开(公告)号：CN1824691A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200510119169.X

申请日：2005-11-24

Applicant: 三星康宁株式会社

Inventor： 宣钟白 ,  申铉振 ,  郑铉潭 ,  金知晚

IPC: C08J5/18 ,  B05D5/02 ,  C08L83/04

CPC classification number: C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695

Abstract: 本发明公开一种制备低介电常数的介孔薄膜的方法，它包括混合环状硅氧烷类单体、有机溶剂、酸催化剂或碱催化剂和水，来制备涂覆溶液，然后将该涂覆溶液施涂在基片上并热固化。本发明的介孔薄膜显示出包括硬度和弹性模量的优异物理性能，并具有2.5或更低的低介电常数，因此，容易用于制造半导体。

公开(公告)号：CN1644622A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410104827.3

申请日：2004-12-23

Applicant: 三星康宁株式会社

Inventor： 金泰完 ,  李志薰 ,  朴大出 ,  宣钟白 ,  李光熙 ,  郑铉潭

IPC: C08L83/04 ,  C08K3/36 ,  C09D5/25 ,  C09D183/04 ,  B05D5/12

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76801

Abstract: 一种形成具有良好机械和绝缘特性的绝缘膜的合成物，包括：具有良好分散稳定性的硅溶胶、有机硅氧烷聚合物和疏水性有机溶剂，其中硅溶胶包含具有5至15nm平均粒径的初级粒子和具有70至100nm的次级粒子，所述初级和次级硅石粒子的总量占硅石粒子和有机硅氧烷聚合物总重量的2％至50％的范围内。