公开(公告)号：CN118113506A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410373794.X

申请日：2024-03-28

Applicant: 三星(中国)半导体有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 张添翼 ,  张宇奇

IPC: G06F11/07 ,  G06F18/22 ,  G06F17/16

Abstract: 提供了一种存储装置的故障预测方法和装置，所述方法包括：确定所述存储装置的多个属性的针对第一时间段的实际值与所述存储装置的所述多个属性的针对第一时间段的预测值之间的差值矩阵；以及基于所述差值矩阵预测所述存储装置是否将发生故障。

公开(公告)号：CN115480700A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202211105968.1

申请日：2022-09-08

Applicant: 三星(中国)半导体有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 齐备 ,  张坤 ,  豆坤 ,  张如意 ,  张宗源 ,  李宇涛 ,  曹丹 ,  张添翼

IPC: G06F3/06

Abstract: 公开了一种数据存储方法、存储设备以及主机。所述数据存储方法应用于支持多流(Multi‑Stream)的存储设备，所述存储设备包括第一存储单元和第二存储单元，所述数据存储方法包括：响应于主机的IO写请求携带的流ID符合第一预设条件，将与所述IO写请求相应的数据写入第一存储单元；响应于所述IO写请求携带的流ID符合第二预设条件，将与所述IO写请求相应的数据写入第二存储单元；其中，所述流ID指示与所述IO写请求相应的数据的写入时延要求信息；符合第一预设条件的流ID指示的数据写入时延小于符合第二预设条件的流ID指示的数据的写入时延；所述第一存储单元的读写性能高于所述第二存储单元的读写性能。

公开(公告)号：CN115794687A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211599898.X

申请日：2022-12-12

Applicant: 三星(中国)半导体有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 张坤 ,  豆坤 ,  齐备 ,  张如意 ,  张宗源 ,  李宇涛 ,  曹丹 ,  张添翼

IPC: G06F12/16 ,  G06F12/02 ,  G06F12/0811 ,  G06F3/06 ,  G06F16/13 ,  G06F16/172 ,  G06F16/18

Abstract: 本公开提供了基于日志结构合并树的键值数据存储的方法和装置，具体地，一种基于日志结构合并树(LSM‑Tree)的键值(KV)数据存储的方法，包括：将KV数据写入NAND闪存中。所述KV数据包括键值对，所述键值对包括Key和对应的Value。所述KV数据被存储在键值固态硬盘(KVSSD)中，所述KVSSD包括存储级内存(SCM)和所述NAND闪存。所述方法还包括将所述KV数据的元数据存储于所述SCM中。所述KV数据的元数据包括Key和所述KV数据的对应的Value的索引信息，并且所述KV数据的对应的Value的索引信息指示所述KV数据在所述NAND闪存中的地址信息。