公开(公告)号：CN112232008B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202011104826.4

申请日：2020-10-15

Applicant: 三峡大学

Inventor： 陈曦 ,  黄亿 ,  席磊

IPC: G06F30/367

Abstract: 一种MOSFET器件本征特性参数的描述模型及参数辨识方法，该描述模型为对PN结结电容偏置电压的分数阶模型该描述模型的参数辨识方法是一种基于差分进化算法的分数阶多目标离线参数辨识方法，该方法包含以下步骤：1)根据某种型号MOSFET的数据手册获得结电容容值随偏置电压变化的数据；2)根据分数阶模型得到的结电容随偏置电压关系；3)将分数阶模型CE与数据手册中对应容值的平均绝对百分比误差作为基于差分进化的参数辨识方法的目标函数进行数据拟合。本发明所提描述模型能够准确地描述MOSFET器件本征特性参数PN结结电容随偏置电压变化曲线，从而能够为含有该类元件的电路系统设计与可靠性分析提供参考依据。

公开(公告)号：CN112232008A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202011104826.4

申请日：2020-10-15

Applicant: 三峡大学

Inventor： 陈曦 ,  黄亿 ,  席磊

IPC: G06F30/367

Abstract: 一种MOSFET器件本征特性参数的描述模型及参数辨识方法，该描述模型为对PN结结电容偏置电压的分数阶模型 该描述模型的参数辨识方法是一种基于差分进化算法的分数阶多目标离线参数辨识方法，该方法包含以下步骤：1)根据某种型号MOSFET的数据手册获得结电容容值随偏置电压变化的数据；2)根据分数阶模型得到的结电容随偏置电压关系；3)将分数阶模型CE与数据手册中对应容值的平均绝对百分比误差作为基于差分进化的参数辨识方法的目标函数进行数据拟合。本发明所提描述模型能够准确地描述MOSFET器件本征特性参数PN结结电容随偏置电压变化曲线，从而能够为含有该类元件的电路系统设计与可靠性分析提供参考依据。