公开(公告)号：CN113325220B

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202110729323.4

申请日：2021-06-29

Applicant: 三峡大学

Inventor： 朴红光 ,  苏涛涛 ,  黄玥 ,  吕宗飞 ,  张宏艳 ,  覃剑铭 ,  李昌锋 ,  杨宏国 ,  马晓萍 ,  潘礼庆 ,  王磊 ,  刘磊 ,  熊伟

IPC: G01R19/00

Abstract: 基于电场几何效应的微电流检测器件及微电流测量方法，该检测器件包括本征半导体，在本征半导体上制作四个具有几何结构布局的欧姆接触型点电极：电极A、电极B、电极C、电极D；电极A、电极B，通入稳恒电流，用于在本征半导体内部形成非均匀电场分布；电极C、电极D，通入微电流并检测。本发明微电流检测器件设计结构简单，可有效地避免复杂结构引起的噪声干扰。本发明不仅有利于提高微弱电流检测精度，而且可集成于半导体薄膜材料微器件，有利于实现具备自检测功能的器件小型化。

公开(公告)号：CN113325220A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202110729323.4

申请日：2021-06-29

Applicant: 三峡大学

Inventor： 朴红光 ,  苏涛涛 ,  黄玥 ,  吕宗飞 ,  张宏艳 ,  覃剑铭 ,  李昌锋 ,  杨宏国 ,  马晓萍 ,  潘礼庆 ,  王磊 ,  刘磊 ,  熊伟

IPC: G01R19/00

Abstract: 基于电场几何效应的微电流检测器件及微电流测量方法，该检测器件包括本征半导体，在本征半导体上制作四个具有几何结构布局的欧姆接触型点电极：电极A、电极B、电极C、电极D；电极A、电极B，通入稳恒电流，用于在本征半导体内部形成非均匀电场分布；电极C、电极D，通入微电流并检测。本发明微电流检测器件设计结构简单，可有效地避免复杂结构引起的噪声干扰。本发明不仅有利于提高微弱电流检测精度，而且可集成于半导体薄膜材料微器件，有利于实现具备自检测功能的器件小型化。