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公开(公告)号：CN205452290U
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201620214759.4
申请日：2016-03-21
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 横向半导体装置。本实用新型以低成本提供能够防止电流集中的产生的横向半导体装置。所述横向半导体装置设置于具有相互面对的第1主面和第2主面的半导体衬底上，该横向半导体装置具有：第1导电型的漂移区；所述第1导电型的漏区；第2导电型的基区；所述第1导电型的源区；漏电极，其与所述漏区电连接；源电极，其与所述源区电连接；以及栅电极，其隔着栅绝缘膜设置于被所述源区和所述漏区夹着的所述基区上方，在俯视时所述源电极的内缘长度比所述漏电极的外缘长度长的部位，在所述源区和所述源电极之间的至少一部分处具有绝缘区。
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