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公开(公告)号：CN101896629A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200880120812.2
申请日：2008-12-26
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: C22C9/10 , B22F1/0059 , C22C1/0425 , C22C9/00 , H01B1/22 , H01G4/008
Abstract: 本发明提供粒度微细且不会损坏耐氧化性、导电性的平衡的铜粉，还提供形状及粒度的离散小、低含氧浓度的用于导电性糊剂的铜粉及导电性糊剂。颗粒内部含有0.1atm％～10atm％的Si(硅)。
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公开(公告)号：CN110325303B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201880012738.6
申请日：2018-03-28
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: B22F1/00
Abstract: 本发明的铜颗粒具有包含铜的芯部和形成于该芯部的表面的包含CuO和Cu2O的氧化铜层。当将铜颗粒中所包含的氧的含有比例(质量％)设定为X、将氧化铜层中所包含的Cu2O的微晶尺寸(nm)设定为Y时，满足Y≥36X‑18的条件。芯部中所包含的金属铜的微晶尺寸DC(μm)与基于激光衍射散射式粒度分布测定法的累积体积为50容量％时的体积累积粒径D50(μm)的比例即DC/D50的值还优选为0.10～0.40。另外，氧的含有比例还优选为0.80质量％～1.80质量％。
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公开(公告)号：CN105705276A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201580002507.3
申请日：2015-01-21
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: H01B1/026 , B22F1/0014 , B22F1/0074 , B22F9/12 , B22F2999/00 , B22F2202/13
Abstract: 本发明提供一种新铜粉，其即使为微粒铜粉，压粉电阻也低且可确保优异的导电性。本发明提出一种铜粉，其特征在于，通过激光衍射散射式粒度分布测定装置所测定的体积累积粒径D50为0.20μm～0.70μm，并且，微晶粒径相对于该D50的比例(微晶粒径/D50)为0.15～0.60(μm/μm)。
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公开(公告)号：CN113165067A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202080006577.7
申请日：2020-01-24
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: B22F1/00
Abstract: 本发明的目的是提供填充性高的金属粒子。本发明的金属粒子是含有磁性金属元素而成。金属粒子的利用激光衍射散射式粒度分布测定法得到的累积体积为50容量％时的体积累积粒径D50相对于利用扫描型电子显微镜观察得到的累积体积为50容量％时的体积累积粒径DSEM50之比D50/DSEM50为4以下。DSEM50为0.2μm～1.5μm。金属粒子优选具备含有磁性金属元素的核部和配置于核部的表面并且含有非磁性金属元素的氧化物的壳部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105705276B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201580002507.3
申请日：2015-01-21
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: H01B1/026 , B22F1/0014 , B22F1/0074 , B22F9/12 , B22F2999/00 , B22F2202/13
Abstract: 本发明提供一种新铜粉，其即使为微粒铜粉，压粉电阻也低且可确保优异的导电性。本发明提出一种铜粉，其特征在于，通过激光衍射散射式粒度分布测定装置所测定的体积累积粒径D50为0.20μm～0.70μm，并且，微晶粒径相对于该D50的比例(微晶粒径/D50)为0.15～0.60(μm/μm)。
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公开(公告)号：CN113165067B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202080006577.7
申请日：2020-01-24
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供填充性高的金属粒子。本发明的金属粒子是含有磁性金属元素而成。金属粒子的利用激光衍射散射式粒度分布测定法得到的累积体积为50容量％时的体积累积粒径D50相对于利用扫描型电子显微镜观察得到的累积体积为50容量％时的体积累积粒径DSEM50之比D50/DSEM50为4以下。DSEM50为0.2μm～1.5μm。金属粒子优选具备含有磁性金属元素的核部和配置于核部的表面并且含有非磁性金属元素的氧化物的壳部。
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公开(公告)号：CN102015164A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980114457.2
申请日：2009-06-19
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: C22C9/00 , B22F1/0003 , B22F2998/00 , C22C9/10 , H01B1/026 , H01B1/22 , H01G4/12 , H01G4/2325 , H01G4/30 , H05K1/092 , C22C1/0425 , B22F9/082
Abstract: 本发明提供一种导电性糊剂用铜粉，其特征在于，在粒子内部含有0.1原子％～10原子％的Si(硅)和0.1原子％～10原子％的In。优选在粒子内部含有0.1原子％～10原子％的Ag(银)。还优选在粒子内部含有0.01原子％～0.5原子％的P(磷)。Si/In(原子比)优选为0.5～5。导电性糊剂用铜粉优选是用雾化法制造而成的。
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公开(公告)号：CN110325303A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201880012738.6
申请日：2018-03-28
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的铜颗粒具有包含铜的芯部和形成于该芯部的表面的包含CuO和Cu2O的氧化铜层。当将铜颗粒中所包含的氧的含有比例(质量％)设定为X、将氧化铜层中所包含的Cu2O的微晶尺寸(nm)设定为Y时，满足Y≥36X-18的条件。芯部中所包含的金属铜的微晶尺寸DC(μm)与基于激光衍射散射式粒度分布测定法的累积体积为50容量％时的体积累积粒径D50(μm)的比例即DC/D50的值还优选为0.10～0.40。另外，氧的含有比例还优选为0.80质量％～1.80质量％。
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公开(公告)号：CN102015164B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200980114457.2
申请日：2009-06-19
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: C22C9/00 , B22F1/0003 , B22F2998/00 , C22C9/10 , H01B1/026 , H01B1/22 , H01G4/12 , H01G4/2325 , H01G4/30 , H05K1/092 , C22C1/0425 , B22F9/082
Abstract: 本发明提供一种导电性糊剂用铜粉，其特征在于，在粒子内部含有0.1原子％～10原子％的Si(硅)和0.1原子％～10原子％的In。优选在粒子内部含有0.1原子％～10原子％的Ag(银)。还优选在粒子内部含有0.01原子％～0.5原子％的P(磷)。Si/In(原子比)优选为0.5～5。导电性糊剂用铜粉优选是用雾化法制造而成的。
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