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公开(公告)号：CN101675501A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200880002035.1
申请日：2008-01-10
Applicant: ST微电子(克偌林斯2)SAS公司 , 恩智浦半导体
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L29/517 , H01L21/28052 , H01L21/28097 , H01L21/28105 , H01L29/42376 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 本发明涉及一种形成场效应晶体管的方法，该场效应晶体包括形成在绝缘层上的栅极(G)，在与绝缘层接触的区域中该栅极具有在栅极(G)长度上的半导体中心区域(50)和横向区域(48)，该方法包括形成栅极(G)，该栅极包括绝缘层部分(32)、形成在绝缘层(32)上方的半导体层部分、和形成在半导体层上方的掩模层部分；执行掩模层部分的蚀刻以便在栅极(G)的中心只留下一部分；和使半导体栅极与沉积在栅极上方的金属起反应。
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公开(公告)号：CN101305458A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200680038911.7
申请日：2006-10-17
Applicant: ST微电子(克偌林斯2)SAS公司 , 意法半导体有限公司 , 恩智浦半导体
IPC: H01L21/8238 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31111 , H01L21/823814 , H01L21/823835 , H01L29/66545
Abstract: 本发明涉及一种制备器件的方法，包括在所述器件的第一区域内形成第一氧化硅层，在所述器件的第二区域内形成第二氧化硅层，将第一类型的掺杂离子注入到所述第一区域中，将第二类型的掺杂离子注入到所述第二区域中，以及蚀刻所述第一和第二区域一预定的持续时间以便移除所述的第一氧化硅层并保留所述第二氧化硅层的至少一部分。
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公开(公告)号：CN100472773C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200580044938.2
申请日：2005-12-23
Applicant: ST微电子(克偌林斯2)SAS公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： 伯特兰·巴拉提 , 罗伯特·毛里齐奥·冈尼拉 , 塞巴斯蒂安·法布尔
IPC: H01L23/525
CPC classification number: H01L23/5252 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种反熔丝单元，包括：MOS集成电路的MOS晶体管，具有由金属硅化物层(12，13)覆盖的源区(7)和漏区(8)，至少一个电阻层轨道(24)，所述电阻轨道至少部分地围绕所述MOS晶体管并且适于传导加热电流以使所述金属硅化物的金属横跨地扩散于源结和/或漏结之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101248002A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200680030911.2
申请日：2006-08-24
Applicant: ST微电子(克偌林斯2)SAS公司 , 皇家菲利浦电子有限公司
Inventor： 克莱芒·查尔布伊雷特 , 洛朗特·戈塞特
IPC: B81B7/00
CPC classification number: B81C1/00238
Abstract: 一种集成电路(1)，所述集成电路(1)包括：基底(2)，在所述基底(2)上方的有源元件(13)，部分地围绕所述有源元件(13)的空腔(14)，部分地围绕所述空腔(14)的低介电区(15)，以及围绕所述低介电区(15)布置的保护屏障(16)。
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公开(公告)号：CN104145414A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201380009315.6
申请日：2013-02-13
Applicant: 原子能和替代能源委员会 , ST微电子(克偌林斯2)SAS公司
Inventor： 埃马纽埃尔·奥里尔 , 斯特凡娜·蒙弗瑞 , 托马斯·斯克特尼科基 , 乌尔里希·休坡瑞曼内恩
IPC: H02N2/18
CPC classification number: H02N2/185 , H01L41/047 , H01L41/08 , H02N2/18
Abstract: 本发明涉及一种用于将热能转化为电能的装置，该装置包括单元(C1、C2)，该单元(C1、C2)包括：空腔(2)，该空腔(2)的一个壁(2.1)与热源(SC)接触；空腔(4)，该空腔(4)的一个壁(4.1)与冷源(SF)接触；主通道(6)，其处于空腔(2)与空腔(4)之间并且以液滴形式输送流体，该主通道包括一用于将流体液滴从空腔(4)输送到空腔(2)的机构；至少一个辅助通道(8)，其处于空腔(2)与空腔(4)之间并且以气体形式输送流体；压电材料(10)，其被设置在空腔(2)和空腔(4)的至少一个中；以及容纳在所述单元中的液体和气体形式的流体。
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公开(公告)号：CN101675501B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200880002035.1
申请日：2008-01-10
Applicant: ST微电子(克偌林斯2)SAS公司 , 恩智浦半导体
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L29/517 , H01L21/28052 , H01L21/28097 , H01L21/28105 , H01L29/42376 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 本发明涉及一种形成场效应晶体管的方法，该场效应晶体包括形成在绝缘层上的栅极(G)，在与绝缘层接触的区域中该栅极具有在栅极(G)长度上的半导体中心区域(50)和横向区域(48)，该方法包括形成栅极(G)，该栅极包括绝缘层部分(32)、形成在绝缘层(32)上方的半导体层部分、和形成在半导体层上方的掩模层部分；执行掩模层部分的蚀刻以便在栅极(G)的中心只留下一部分；和使半导体栅极与沉积在栅极上方的金属起反应。
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公开(公告)号：CN101091249A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200580044938.2
申请日：2005-12-23
Applicant: ST微电子(克偌林斯2)SAS公司 , 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： 伯特兰·巴拉提 , 罗伯特·毛里齐奥·冈尼拉 , 塞巴斯蒂安·法布尔
IPC: H01L23/525
CPC classification number: H01L23/5252 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种反熔丝单元，包括：MOS集成电路的MOS晶体管，具有由金属硅化物层(12，13)覆盖的源区(7)和漏区(8)，至少一个电阻层轨道(24)，所述电阻轨道至少部分地围绕所述MOS晶体管并且适于传导加热电流以使所述金属硅化物的金属横跨地扩散于源结和/或漏结之间。
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公开(公告)号：CN1794433A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510103014.7
申请日：2005-09-15
Applicant: ST微电子(克偌林斯2)SAS公司
Inventor： 斯特凡娜·蒙弗瑞 , 斯特凡恩·博雷尔 , 托马斯·斯克特尼科基
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L29/78 , H01L27/02
CPC classification number: H01L29/1054 , H01L29/0649 , H01L29/66651 , H01L29/78654 , H01L29/78687
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅极场效应晶体管(T)，其包括窄的异质结构应变半导体沟道(4，5)，该沟道在栅极(6)和隐埋在基片(SB)中的介电块(91)之间延伸。
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