-
公开(公告)号：CN113608097B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202110886441.6
申请日：2021-08-03
申请人： 深圳市时代速信科技有限公司
发明人： 刘洋
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本申请提供了一种器件性能检测装置与系统，涉及器件性能检测技术领域，该器件性能检测装置包括脉宽调制电路、驱动电路、开关电路以及温度传感器，脉宽调制电路、驱动电路、开关电路依次电连接，开关电路用于连接待测开关器件，温度传感器与待测开关器件连接，其中，脉宽调制电路用于输出高频驱动信号，驱动电路用于依据高频驱动信号驱动待测开关器件工作，温度传感器用于检测待测开关器件处于工作状态时的温升，以实现器件性能检测。本申请提供的器件性能检测装置与系统具有能够检测待测开关器件在高频工作状态下的温升的功能，具有能够判断出待测开关器件优劣的优点。
-
公开(公告)号：CN113592666B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202110958387.1
申请日：2021-08-20
申请人： 深圳市时代速信科技有限公司
发明人： 冯登辉
IPC分类号： G06Q50/04 , G06F16/907
摘要： 一种生产系统及其控制方法，涉及半导体制造技术领域。该控制方法包括生产管理模块和工程信息管理模块，方法包括：通过工程信息管理模块获取待查验物料的物料信息，物料信息至少包括待查验物料的在制品信息，在制品信息包括在制品标识信息和在制品数量；根据在制品标识信息通过生产管理模块获取待查验物料的在制品生产信息，在制品生产信息至少包括在制品实际数量、在制品标准作业周期和在制品实际作业周期；比对在制品生产信息是否与待查验物料的在制品信息相匹配；若是，则判定待查验物料的在制品状态正常；若否，则判定待查验物料的在制品状态异常。该生产系统的控制方法能够便于多项数据进行集中查询和调用以降低人工强度，提高用户体验。
-
公开(公告)号：CN113540807B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202110707842.0
申请日：2021-06-24
申请人： 深圳市时代速信科技有限公司
摘要： 本发明公开的一种共振隧穿二极管太赫兹振荡器及其电路结构，包括：缝隙天线和共振隧穿二极管；其中，所述共振隧穿二极管用于确定所述缝隙天线的馈电点，所述馈电点偏离所述缝隙天线的中心；所述馈电点用于将所述缝隙天线划分为长缝隙天线和短缝隙天线，所述长缝隙天线对应第一缝隙谐振腔，所述短缝隙天线对应第二缝隙谐振腔；所述长缝隙天线用于控制所述缝隙天线阻抗的实部，所述短缝隙天线用于控制所述缝隙天线阻抗的虚部，相比于现有技术，本发明在满足高频振荡的情况下，满足最大功率阻抗匹配的条件，实现高效率的辐射输出功率。
-
公开(公告)号：CN116417514A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310287863.0
申请日：2023-03-16
申请人： 深圳市时代速信科技有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/36 , H01L29/08 , H01L29/06
摘要： 本发明的实施例提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括衬底、半导体叠层、源极、栅极和漏极，漏极包括漏极金属层和p型掺杂层，p型掺杂层设置在半导体叠层的注入区域，且p型掺杂层在注入区域不同位置的掺杂浓度和/或厚度不同，相较于现有技术，本发明通过设置p型掺杂层，能够向半导体叠层内注入空穴，从而能够减少热载流子形式的电子，进而减少其对器件的破坏。并且，由于不同区域的掺杂浓度和/或厚度不同，使得其空穴注入能力有差别，使得部分区域的二维电子气不被耗尽的过多，从而使得导通电阻不至于增加那么多，实现相对降低导通电阻的作用，实现较优的动态电阻与导通电阻性能。
-
公开(公告)号：CN116093138A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310288622.8
申请日：2023-03-16
申请人： 深圳市时代速信科技有限公司
发明人： 林坤
摘要： 本发明提供了一种半导体器件，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括衬底、半导体叠层、金属电极、阻挡层、第一钝化层以及第二钝化层，半导体叠层设置在衬底上，金属电极设置在半导体叠层上；阻挡层设置在金属电极边缘区域；第一钝化层设置在半导体叠层上，并延伸至金属电极边缘区域，第二钝化层设置在第一钝化层上，并覆盖阻挡层。相较于现有技术，本发明通过设置第二钝化层，能够提升水汽隔离效果，并且通过设置阻挡层，能够延长水汽侵入路径，使得水汽更加不易接触第一钝化层和半导体叠层，提升了器件的可靠性，并且，能够移除器件表面的PBO保护层，避免了介质材料的影响，提高漏极效率，提升器件性能。
-
公开(公告)号：CN113571998B
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202110707698.0
申请日：2021-06-24
申请人： 深圳市时代速信科技有限公司
IPC分类号： H01S1/02
摘要： 本发明所公开的一种共振隧穿二极管太赫兹振荡源，包括：共振隧穿二极管、谐振腔和MIM电容；其中，所述MIM电容包括上金属层和下金属层，所述上金属层包括左侧支撑柱、中部支撑柱、右侧支撑柱和上金属平面层；所述谐振腔分为第一谐振腔和第二谐振腔，所述第一谐振腔和所述第二谐振腔相互对称；所述共振隧穿二极管置于所述第一谐振腔和所述第二谐振腔对称的位置，所述共振隧穿二极管的第一端与所述中部支撑柱连接，所述共振隧穿二极管的第二端与所述的下金属层连接，通过将共振隧穿二极管器件置于谐振腔内，提高共振隧穿二极管器件面积，从而提升振荡器输出功率。
-
公开(公告)号：CN115274825A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210950911.5
申请日：2022-08-09
申请人： 深圳市时代速信科技有限公司
发明人： 杨天应
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/40 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，通过在源极场板和漏极金属之间增加与栅极金属电连接的第一栅极场板，并将第一栅极场板通过电阻与栅极电连接，以此使得第一栅极场板具有较低的电位，一方面不仅能够对漏极和栅极之间的电场起到屏蔽作用，还能够对沟道处的二维电子气进一步耗尽，便于降低器件的Cgd，提升器件的增益和稳定性，避免器件发生自激；另一方面，通过第一栅极场板还能够对漏极和源极之间的电场进行屏蔽，减小器件的Cds，从而提高器件的漏极效率。
-
公开(公告)号：CN114759080B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210659098.6
申请日：2022-06-13
申请人： 深圳市时代速信科技有限公司
发明人： 吴俊峰
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，栅极金属与第一P型轻掺杂层形成肖特基接触，由于第一P型轻掺杂层的掺杂浓度较低，可以提高栅极正向耐压的同时降低栅极漏电流。并且借助P型重掺杂层的较高掺杂浓度对能带进行调整降低栅极下方沟道处的二维电子气浓度，扩大栅下的耗尽区，从而缓解栅下的电场峰值，提高器件的耐压。通过第一P型轻掺杂层的延伸部至少覆盖P型重掺杂层的侧面，可以借助延伸部对栅极侧面的电场进行有效调制，从而降低栅极侧面的电场强度或电场峰值，有助于提高器件的耐压。
-
公开(公告)号：CN114640099B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210541273.1
申请日：2022-05-19
申请人： 深圳市时代速信科技有限公司
摘要： 本申请提供了一种高压输入保护电路与驱动芯片，涉及驱动芯片技术领域。该高压输入保护电路包括稳定环路模块、电压跟随模块以及高压保护模块，稳定环路模块、电压跟随模块以及高压保护模块依次电连接，电压跟随模块与高压保护模块还与内部电路电连接，其中，稳定环路模块与电压跟随模块用于在高压保护模块的输入电压大于钳位电压时，对输入内部电路的电压进行钳位，以使输入内部电路的电压小于或等于钳位电压。本申请提供的高压输入保护电路与驱动芯片具有能够使整个驱动芯片的面积更小、工艺更加简单以及成本更低的优点。
-
公开(公告)号：CN114447105B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210357155.5
申请日：2022-04-07
申请人： 深圳市时代速信科技有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/335 , H01L29/778
摘要： 本发明提供了一种半导体器件的制备方法和半导体器件，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括衬底、外延材料层、源极、漏极、栅极以及背金层，并在外延材料层内的部分区域形成导电区，然后完成半导体器件正面工艺，最后完成背面工艺，在衬底上刻蚀形成通孔，并形成背金层。相较于现有技术，本发明通过使部分外延材料层具备导电特性，使得在形成源极通孔时无需刻蚀外延材料层，并且外延材料层作为刻蚀停止层，在刻蚀完成后不存在金属电极过刻蚀的问题，避免了过刻蚀工艺可能带来的背孔塌陷和背孔金属分层等技术问题，保证了器件良品率和器件性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
222 条记录 (耗时 0.056 秒)
