晶体生长和退火方法以及装置

    公开(公告)号:CN1373820A

    公开(公告)日:2002-10-09

    申请号:CN00808687.7

    申请日:2000-06-07

    Abstract: 一种生产即使具有大的晶体尺寸其双折射仍减到最小,适合于生产CaF2晶体的方法和装置。本发明方法包括在慢慢减少晶体的本体温度时维持晶体中温度梯度最小而将晶体退火。本发明装置包括一个加到晶体生长和退火装置中的温度控制系统,该温度控制系统在晶体生长期间形成一温度梯度,而在退火期间使该温度梯度减到最小。本发明的一个实施例包括一个加到常规的晶体生长和退火装置中的辅助加热器。该辅助加热器提供热量,使退火过程中的晶体的温度梯度最小。该辅助加热器可安装在邻近坩埚底部的地方,以便有效维持适当的温度梯度。

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