公开(公告)号：CN112514540B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN201980047802.9

申请日：2019-07-17

Applicant: 日本发条株式会社 ,  株式会社泉科技

Inventor： 花待年彦 ,  诸田修平 ,  高原刚 ,  泷本优 ,  横山响 ,  光田拓史 ,  荒木良仁 ,  味泽贤吾

IPC: H05H1/24 ,  C23C28/04 ,  C25D11/04 ,  C25D11/12 ,  C25D11/18 ,  H01L21/3065 ,  C25D11/00

Abstract: 本发明的等离子体处理装置用部件包括：铝基材；以及氧化被膜，其形成在铝基材上，具有多孔质结构，其中，氧化被膜包括：第一氧化被膜，其形成在铝基材的表面上，第二氧化被膜，其形成在第一氧化被膜的与铝基材侧相反的一侧，以及第三氧化被膜，其形成在第二氧化被膜的与第一氧化被膜侧相反的一侧，第一氧化被膜比第二氧化被膜及第三氧化被膜硬，在第一氧化被膜、第二氧化被膜和第三氧化被膜的各被膜中形成的孔被封孔。

公开(公告)号：CN112514540A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980047802.9

申请日：2019-07-17

Applicant: 日本发条株式会社 ,  株式会社泉科技

Inventor： 花待年彦 ,  诸田修平 ,  高原刚 ,  泷本优 ,  横山响 ,  光田拓史 ,  荒木良仁 ,  味泽贤吾

IPC: H05H1/24 ,  C23C28/04 ,  C25D11/04 ,  C25D11/12 ,  C25D11/18 ,  H01L21/3065 ,  C25D11/00

Abstract: 本发明的等离子体处理装置用部件包括：铝基材；以及氧化被膜，其形成在铝基材上，具有多孔质结构，其中，氧化被膜包括：第一氧化被膜，其形成在铝基材的表面上，第二氧化被膜，其形成在第一氧化被膜的与铝基材侧相反的一侧，以及第三氧化被膜，其形成在第二氧化被膜的与第一氧化被膜侧相反的一侧，第一氧化被膜比第二氧化被膜及第三氧化被膜硬，在第一氧化被膜、第二氧化被膜和第三氧化被膜的各被膜中形成的孔被封孔。