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公开(公告)号：CN100354344C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN01801863.7
申请日：2001-05-21
申请人： 斯图加特大学化工研究所
CPC分类号： B01D67/0093 , B01D53/228 , B01D71/52 , B01D71/68 , B01D71/82 , B01D2323/30 , C08G75/00 , H01M2/1653 , H01M8/1025 , H01M8/1027 , H01M8/1032 , H01M8/1044 , H01M8/1072 , H01M8/1081 , H01M8/1086 , H01M10/052 , H01M10/0565 , H01M2300/0082 , Y02P70/56
摘要： 本发明涉及由一种或多种聚合物组成的以共价键交联的聚合物或聚合物膜，它可含有以下官能团(M＝卤素(F，Cl，Br，I)，OR，NR2；R＝烷基，羟烷基，芳基)；(Me＝H，Li，Na，K，Cs或其它金属阳离子或铵离子)；a)阳离子交换基团的前体：SO2M和/或POM2和/或COM，b)亚磺酸盐基团SO2Me，它可以是用以下有机化合物以共价键交联的：a)二，三或寡官能团卤代烷或卤代芳族化物，这些化合物与亚磺酸盐基团SO2Me反应，而在聚合物中/在聚合物共混物中/在聚合物膜中产生如下交联桥键(Y＝交联桥键，Y＝-(CH2)x-；-亚芳基-；-(CH2)x-亚芳基-；-CH2-亚芳基-CH2-，x＝3-12)：-SO2Y-SO2-，和/或b)含有如下基团的化合物：卤素-(CH2)x-NHR，其一端(卤素-)与亚磺酸盐基团SO2Me反应，而在另一端(-NHR)与SO2M基团反应，从而在聚合物/聚合物共混物/聚合物膜中存在以下的交联桥键：-SO2-(CH2)x-NR-SO2-，和/或c)含有以下基团的化合物：NHR-(CH2)x-NHR，它与SO2M反应而在聚合物/聚合物共混物/聚合物膜中产生如下交联桥键：-SO2-NR-(CH2)x-NR-SO2-。
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公开(公告)号：CN1440438A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN01801863.7
申请日：2001-05-21
申请人： 斯图加特大学化工研究所
CPC分类号： B01D67/0093 , B01D53/228 , B01D71/52 , B01D71/68 , B01D71/82 , B01D2323/30 , C08G75/00 , H01M2/1653 , H01M8/1025 , H01M8/1027 , H01M8/1032 , H01M8/1044 , H01M8/1072 , H01M8/1081 , H01M8/1086 , H01M10/052 , H01M10/0565 , H01M2300/0082 , Y02P70/56
摘要： 本发明涉及由一种或多种聚合物组成的以共价键交联的聚合物或聚合物膜，它可含有以下官能团(M＝卤素(F，Cl，Br，I)，OR，NR2；R＝烷基，羟烷基，芳基)；(Me＝H，Li，Na，K，Cs或其它金属阳离子或铵离子)；a)阳离子交换基团的前体：SO2M和/或POM2和/或COM，b)亚磺酸盐基团SO2Me，它可以是用以下有机化合物以共价键交联的：a)二，三或寡官能团卤代烷或卤代芳族化物，这些化合物与亚磺酸盐基团SO2Me反应，而在聚合物中/在聚合物共混物中/在聚合物膜中产生如下交联桥键(Y＝交联桥键，X＝卤素(F，Cl，Br，I)，OR，Y＝－(CH2)x－；－亚芳基－；－(CH2)x－亚芳基－；－CH2－亚芳基－CH2－，x＝3－12)：聚合物－SO2Y－SO2－聚合物，和/或b)含有如下基团的化合物：卤素－(CH2)x－NHR，其一端(卤素－)与亚亚磺酸盐基团SO2Me反应，而在另一端(－NHR)与SO2M基团反应，从而在聚合物/聚合物共混物/聚合物膜中存在以下的交联桥键：聚合物－SO2－(CH2)x－NR－SO2－聚合物，和/或c)含有以下基团的化合物：NHR－(CH2)x－NHR，它与亚磺酸盐基团SO2Me反应而在聚合物/聚合物共混物/聚合物膜中产生如下交联桥键：聚合物－SO2－NR－(CH2)x－NR－SO2－聚合物。
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公开(公告)号：CN1582304B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN02822007.2
申请日：2002-09-02
申请人： 斯图加特大学化工研究所 , 托马斯·翰翎
CPC分类号： H01M6/181 , C08C19/02 , C08F8/04 , C08J5/2243 , C08J2381/00 , H01M8/1023 , H01M8/1025 , H01M8/1027 , H01M8/103 , H01M8/1032 , H01M8/1039 , H01M8/1072 , Y02P70/56
摘要： 本发明涉及至少含亚磺酸根基团(P-(SO2)nX，X是1-(n＝1)、2-(n＝2)或3-(n＝3)价金属阳离子或H+或铵离子NR4+，其中，R是烷基、芳基、H)的新型聚合物或低聚物，该聚合物或低聚物是用下述方法得到的：用悬浮液或溶液形式的合适还原剂将至少含SO2Y基团(Y＝F、Cl、Br、I、OR、NR2(R＝烷基和/或芳基和/或H)、N-咪唑基、N-吡唑基)的聚合物或低聚物完全或部分还原。进一步使得到的亚磺酸化聚合物反应，特别是用单、二或低聚功能性亲电子试剂将亚磺酸根基团烷基化，得到聚合物和聚合物(混合)膜。本发明还涉及亚磺酸化聚合物的生产方法和通过S烷基化进一步使亚磺酸化聚合物与亲电子试剂反应的方法。
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公开(公告)号：CN1582304A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN02822007.2
申请日：2002-09-02
申请人： 斯图加特大学化工研究所 , 托马斯·翰翎
CPC分类号： H01M6/181 , C08C19/02 , C08F8/04 , C08J5/2243 , C08J2381/00 , H01M8/1023 , H01M8/1025 , H01M8/1027 , H01M8/103 , H01M8/1032 , H01M8/1039 , H01M8/1072 , Y02P70/56
摘要： 本发明涉及至少含亚磺酸根基团(P－(SO2)nX，X是1－(n＝1)、2－(n＝2)或3－(n＝3)价金属阳离子或H+或铵离子NR4+，其中，R是烷基、芳基、H)的新型聚合物或低聚物，该聚合物或低聚物是用下述方法得到的：用悬浮液或溶液形式的合适还原剂将至少含SO2Y基团(Y＝F、Cl、Br、I、OR、NR2(R＝烷基和/或芳基和/或H)、N－咪唑基、N－吡唑基)的聚合物或低聚物完全或部分还原。进一步使得到的亚磺酸化聚合物反应，特别是用单、二或低聚功能性亲电子试剂将亚磺酸根基团烷基化，得到聚合物和聚合物(混合)膜。本发明还涉及亚磺酸化聚合物的生产方法和通过S烷基化进一步使亚磺酸化聚合物与亲电子试剂反应的方法。
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