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公开(公告)号：CN114566200A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210116676.1
申请日：2022-02-07
申请人： 成都宏熠电子科技有限公司
摘要： 本公开提供一种Flash控制方法及Flash控制器，所述方法包括：从接收到的第一控制指令中获取第一总线地址，第一控制指令为读指令；根据预设的地址映射关系，确定第一总线地址对应的Flash存储器地址；根据Flash存储器地址从Flash存储器中相应位置获取数据。本公开实施例利用第一总线地址与Flash存储器地址之间的映射关系，确定Flash存储器地址，可以直接从Flash存储器相应位置读取数据，避开寄存器的操作，从而提升从Flash存储器中读取数据的效率。
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公开(公告)号：CN114553224A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210183504.6
申请日：2022-02-25
申请人： 成都宏熠电子科技有限公司
摘要： 本公开提供了一种开关电路和采样保持电路，开关电路包括：控制电路和采样开关管；其中，控制电路，用于在保持阶段，根据第一时钟信号控制采样开关管关断；在采样阶段，根据第一时钟信号控制采样开关管导通，使得将输入信号输出；其中，控制电路包括：电荷泵电路、电压控制电路和第一电荷泄放电路；其中，电荷泵电路用于控制采样开关管的栅极和源极之间的电压的变化量小于或等于预设阈值；电压控制电路用于在保持阶段，不将电荷泵电路的电压加到采样开关管的栅极和源极；在采样阶段，将电荷泵电路的电压加到采样开关管的栅极和源极；第一电荷泄放电路用于在保持阶段，进行采样开关管和电压控制电路的电荷的对地泄放。
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公开(公告)号：CN117215651A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311221827.0
申请日：2023-09-20
申请人： 成都宏熠电子科技有限公司
摘要： 本发明属于通信技术领域，具体涉及一种指令控制装置、方法、电子设备及可读存储介质，用以解决半导体芯片在启动时会出现瞬态冲击的问题。该装置包括传输模块、解析模块以及执行模块；传输模块接收到来自执行模块在上一轮指令控制流程执行完毕后生成的接续触发信号，尝试获取与本轮指令控制流程对应的初始流程指令；若成功则将初始流程指令传输给解析模块；解析模块对初始流程指令执行格式转换，得到对应的目标流程指令并传输给执行模块；执行模块根据目标流程指令的指令类型执行目标流程指令，并在执行完毕后生成新的接续触发信号发送给传输模块，以供传输模块尝试获取与下一轮指令控制流程相对应的初始流程指令。
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公开(公告)号：CN114530189A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210101031.0
申请日：2022-01-27
申请人： 成都宏熠电子科技有限公司
摘要： 本公开提供了一种芯片的修复方法，所述芯片包括主存储器、冗余存储器、单次可编程OTP存储器，所述修复方法包括：响应于所述芯片上电，从所述OTP存储器中获取所述主存储器中的至少一个故障单元的故障地址；根据所述故障地址，确定所述冗余存储器中与所述故障单元对应的冗余单元的冗余地址；将所述故障地址映射到所述冗余地址，以用所述冗余单元替换所述故障单元。本公开还提供一种修复装置、一种芯片。
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公开(公告)号：CN114968844A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210479751.0
申请日：2022-05-05
申请人： 成都宏熠电子科技有限公司
IPC分类号： G06F12/0811
摘要： 本发明公开了一种数据缓存装置及方法，属于数据处理技术领域。该数据缓存装置包括：逻辑控制电路，用于生成第一控制信息；第一缓存模块，用于接收所述待处理数据，并对所述待处理数据进行一级缓存；第二缓存模块，其包括第一缓存单元和第二缓存单元，所述第一缓存单元用于对所述第一类数据进行二级缓存，所述第二缓存单元用于对所述第二类数据进行二级缓存。该数据缓存装置可以降低数据处理的复杂度，提高数据处理的速度；而且可以简化硬件逻辑电路的复杂性。
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