公开(公告)号：CN107359153A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710555249.2

申请日：2017-07-10

申请人： 宏衍微电子(大连)有限公司

发明人： 高在洪

IPC分类号： H01L23/64

CPC分类号： H01L23/642 ,  H01L28/40

摘要： 本发明涉及具有沟槽结构的高容量硅电容器的制造方法，属于电容器技术领域。主要技术方案如下：形成沟槽结构；修复沟槽结构粗糙表面；沟槽绝缘层；叠层电极层和介电层；蚀刻电极层和介电层；形成保护层和连接通道；形成外部端子。本发明采用连续叠层的方法形成电极层和介电层，然后连续进行蚀刻，可以防止叠层蚀刻的损伤。采用十字型的沟槽结构，可以防止硅柱子倒下；另外，采用本发明的方法形成硅电容器时只需要一次过孔操作，节约了操作成本。

公开(公告)号：CN207303087U

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201720825198.6

申请日：2017-07-10

申请人： 宏衍微电子(大连)有限公司

发明人： 高在洪

IPC分类号： H01L23/64

摘要： 本实用新型涉及具有沟槽结构的高容量硅电容器，属于电容器技术领域。主要技术方案如下：在硅基板上蚀刻沟槽结构，所述的沟槽结构为“十字型”，所述沟槽结构的纵横比为(10‑50):1；在所述沟槽结构上依次为沟槽绝缘层、第1电极层、第1介电层、第2电极层、第2介电层、第3电极层、第3介电层、第4电极层，第4电极层上方为保护层，所述的第1电极层、第3电极层通过外部端子种晶层A连接外部端子A。本实用新型提供的硅电容器，采用十字型沟槽结构，具有容量大的特点，并且各电极层及介电层的在蚀刻过程中不会有任何的损伤，电极层与外部端子通过种晶层进行连接，结构相对简单，生产制造成本低。