公开(公告)号：CN106783801B

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201611015068.2

申请日：2016-11-18

Applicant: 浙江大学 ,  宁波麦思电子科技有限公司

Inventor： 马盛林 ,  金仲和 ,  任奎丽 ,  金玉丰 ,  王志平 ,  王春波 ,  时广轶

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种高密度SOI封装基板，包括SOI衬底基板和SiO2埋氧层，SiO2埋氧层设在SOI衬底基板的中间，把SOI衬底基板分设为隔离的器件层和衬底层，所述器件层中设有正面硅柱，所述正面硅柱与所述器件层之间设有第一绝缘环，所述衬底层中设有穿透的背面硅柱，所述背面硅柱与所述衬底层之间设有第二绝缘环；所述正面硅柱中设有金属柱，所述金属柱一端穿透SiO2埋氧层至所述背面硅柱中，所述金属柱与所述正面硅柱和所述背面硅柱均构成欧姆接触；及其制备方法。本发明从很大程度上改变了以Cu、Au、W等金属填充如TSV孔中导致热膨胀系数失配的结构，从而减小了热应力。

公开(公告)号：CN103976739A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410182651.7

申请日：2014-05-04

Applicant: 宁波麦思电子科技有限公司

Inventor： 时广轶 ,  王春波 ,  李文荣 ,  金玉丰

IPC: A61B5/11 ,  G06K9/66

Abstract: 本发明公开了一种穿戴式摔倒动态实时检测方法和装置，穿戴式检测装置包括足部、腰部、腕部、背部组成的特定硬件结构；摔倒动态实时检测方法可以完成人体任意状态下摔倒的实时判别，其核心算法包括三（1）步态加速度突变引起的阈值开启逻辑结构；（2）基于零力矩点（ZMP）的人体姿态动态稳定性判别算法；（3）基于人体运动数据库的摔倒模式识别算法。构成完整的动态实时检测系统，达到了应用领域广、对应用环境的依赖性小且实时检测的目的，且该检测方法和装置精确度高，具有系统成本小，系统体积小于便于穿戴的优点。

公开(公告)号：CN103976739B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201410182651.7

申请日：2014-05-04

Applicant: 宁波麦思电子科技有限公司

Inventor： 时广轶 ,  王春波 ,  李文荣 ,  金玉丰

IPC: A61B5/11 ,  G06K9/66

Abstract: 本发明公开了一种穿戴式摔倒动态实时检测方法和装置，穿戴式检测装置包括足部、腰部、腕部、背部组成的特定硬件结构；摔倒动态实时检测方法可以完成人体任意状态下摔倒的实时判别，其核心算法包括三（1）步态加速度突变引起的阈值开启逻辑结构；（2）基于零力矩点（ZMP）的人体姿态动态稳定性判别算法；（3）基于人体运动数据库的摔倒模式识别算法。构成完整的动态实时检测系统，达到了应用领域广、对应用环境的依赖性小且实时检测的目的，且该检测方法和装置精确度高，具有系统成本小，系统体积小于便于穿戴的优点。

公开(公告)号：CN106449573A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201611007912.7

申请日：2016-11-16

Applicant: 宁波麦思电子科技有限公司 ,  浙江大学

Inventor： 马盛林 ,  金仲和 ,  夏雁鸣 ,  金玉丰 ,  王志平 ,  王春波 ,  时广轶

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种具有垂直通孔互连的金属材质的转接板及其制作方法，该转接板结构包括金属衬底、垂直通孔互连和金属层，所述金属衬底具有相对的第一表面和第二表面；所述垂直通孔互连由垂直贯穿所述金属衬底的第一表面和第二表面的嵌于所述衬底中垂直通孔、覆盖至所述垂直通孔的即横截面为圆环状的绝缘层以及同中心的互连金属圆柱组成；在所述金属衬底的第一表面或第二表面、或者第一和第二表面存在所述金属层，其中在第二表面的互连层可以是金属互连层，也可以是金属探针。相应地，本发明还提供一种该半导体结构的制作方法。本发明可通过采用与生物兼容的金属互连材料及绝缘材料，用于生物兼容领域的测试及应用，简化了制作工艺流程。

公开(公告)号：CN106783801A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611015068.2

申请日：2016-11-18

Applicant: 宁波麦思电子科技有限公司 ,  浙江大学

Inventor： 马盛林 ,  金仲和 ,  任奎丽 ,  金玉丰 ,  王志平 ,  王春波 ,  时广轶

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种高密度SOI封装基板，包括SOI衬底基板和SiO2埋氧层，SiO2埋氧层设在SOI衬底基板的中间，把SOI衬底基板分设为隔离的器件层和衬底层，所述器件层中设有正面硅柱，所述正面硅柱与所述器件层之间设有第一绝缘环，所述衬底层中设有穿透的背面硅柱，所述背面硅柱与所述衬底层之间设有第二绝缘环；所述正面硅柱中设有金属柱，所述金属柱一端穿透SiO2埋氧层至所述背面硅柱中，所述金属柱与所述正面硅柱和所述背面硅柱均构成欧姆接触；及其制备方法。本发明从很大程度上改变了以Cu、Au、W等金属填充如TSV孔中导致热膨胀系数失配的结构，从而减小了热应力。