公开(公告)号：CN1237581C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN02155062.X

申请日：2002-12-20

Applicant: 上海北大蓝光科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 秦志新 ,  张昊翔 ,  童玉珍 ,  张国义 ,  丁晓民 ,  李树明

IPC: H01L21/28 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种低阻P型GaN基材料欧姆接触制备的方法，它采用等离子体氧化技术对P型GaN上的Ni/Au电极进行氧化处理，然后在氮气(N2)气氛下进行合金处理，最后获得比接触电阻低、透光性好的透明电极。本发明适用于所有P型氮化物半导体材料的欧姆接触，P型GaN基材料包括GaN、AlGaN、InGaN、以及InAlGaN四元合金体系，特别是对于GaN基发光二极管的制备具有重要应用和经济价值。

公开(公告)号：CN1242091C

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN02155061.1

申请日：2002-12-20

Applicant: 上海北大蓝光科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 童玉珍 ,  张国义 ,  周建辉 ,  黎敏 ,  秦志新 ,  张昊翔 ,  丁晓民 ,  李树明

IPC: C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明涉及一种MOCVD生长氮化物发光二极管结构外延片的方法。首先，在MOCVD反应室中把蓝宝石衬底加热到1200℃，氢气下高温处理，然后温度降低到490-550℃生长GaN成核层，其后，将生长温度升高到1100-1180℃对成核层进行退火，退火后，在最后的退火温度下，通过线性变化TMGa的流量，开始变速率外延生长GaN缓冲层，在这之后，匀速生长一厚度为2-4微米的GaN缓冲层，在该缓冲层上外延生长器件结构，并通过在其上生长InGaN/GaN多量子阱LED结构，对变化速率进行了优化。本发明可有效实现三维生长向二维生长过渡，以提高外延生长的氮化物发光二极管结构外延片的质量和发光强度。

公开(公告)号：CN1508284A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN02155061.1

申请日：2002-12-20

Applicant: 上海北大蓝光科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 童玉珍 ,  张国义 ,  周建辉 ,  黎敏 ,  秦志新 ,  张昊翔 ,  丁晓民 ,  李树明

IPC: C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明涉及一种MOCVD生长氮化物发光二极管结构外延片的方法。首先，在MOCVD反应室中把蓝宝石衬底加热到1200℃，氢气下高温处理，然后温度降低到490－550℃生长GaN成核层，其后，将生长温度升高到1100－1180℃对成核层进行退火，退火后，在最后的退火温度下，通过线性变化TMGa的流量，开始变速率外延生长GaN缓冲层，在这之后，匀速生长一厚度为2－4微米的GaN缓冲层，在该缓冲层上外延生长器件结构，并通过在其上生长InGaN/GaN多量子阱LED结构，对变化速率进行了优化。本发明可有效实现三维生长向二维生长过渡，以提高外延生长的氮化物发光二极管结构外延片的质量和发光强度。

公开(公告)号：CN1508847A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN02155062.X

申请日：2002-12-20

Applicant: 上海北大蓝光科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 秦志新 ,  张昊翔 ,  童玉珍 ,  张国义 ,  丁晓民 ,  李树明

IPC: H01L21/28 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种低阻P型GaN基材料欧姆接触制备的方法，它采用等离子体氧化技术对P型GaN上的Ni/Au电极进行氧化处理，然后在氮气(N2)气氛下进行合金处理，最后获得比接触电阻低、透光性好的透明电极。本发明适用于所有P型氮化物半导体材料的欧姆接触，P型GaN基材料包括GaN、AlGaN、InGaN、以及InAlGaN四元合金体系，特别是对于GaN基发光二极管的制备具有重要应用和经济价值。