一种发光装置及显示装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119546008A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202311077249.8

    申请日:2023-08-23

    Abstract: 本发明公开了一种发光装置及显示装置,该发光装置包括透明层、架空层、粘合层、多个发光元件以及布线层;架空层形成于透明层的表面,架空层包括第一表面和第二表面,第一表面与透明层相贴合,架空层的第二表面上形成有至少一个凹槽,凹槽自第二表面至第一表面的方向凹陷;粘合层至少形成于第二表面;多个发光元件间隔设置于粘合层的第二表面上,至少一个发光元件对应于一个凹槽,发光元件的边沿与粘合层接触;布线层设置于多个发光元件上,布线层与每个发光元件电性连接。本发明能够改善发光装置的出光强度,提高器件可靠性。

    多金属共掺杂包覆的正极材料及制备方法与应用

    公开(公告)号:CN119480976A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411593305.8

    申请日:2024-11-08

    Inventor: 黄富强 梁松

    Abstract: 本发明公开了一种多金属共掺杂包覆的正极材料及制备方法与应用。所述正极材料包括基体和位于所述基体表面的包覆层,所述基体为含锂层状氧化物,所述包覆层为含锂层状氧化物与“碱金属离子An+和化合价≥3的高价金属离子Bn+”进行离子掺杂并发生结构重构形成的含高价金属的碱金属基层状氧化物异质结构层,内外结构晶格相干,无明显界面。本发明制备的多金属共掺杂包覆的正极材料具有优异的循环稳定性、倍率性能和导电性;且制备方法简单高效、易与规模化生产。

    一种医疗知识图谱构建方法和相关产品

    公开(公告)号:CN119046478B

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202411551684.4

    申请日:2024-11-01

    Abstract: 本申请提供了一种医疗知识图谱构建方法和相关产品,属于人工智能与医疗技术领域,其通过构建用于抽取待识别数据中实体和实体关系的模型,对待识别数据进行实体与实体关系的抽取。将待识别数据中的实体类型分为两类,使用基于Bert模型构建的第一模型抽取第一分类下的实体,使用大模型抽取除第一分类外其他分类下的实体与实体关系,该方法降低了第一模型的计算量和人工标注的工作量,有效提高了整个实体与实体关系的抽取和识别效率。通过构建医疗领域的知识图谱,可以将分散在互联网上的医疗健康信息进行有效整合和关联,形成一个全面的知识体系。本申请的技术方案可以高效地从海量数据中提取有用的医疗信息,为用户提供便捷、智能的信息检索服务。

    一种发光二极管及制作方法、LED芯粒

    公开(公告)号:CN119364934A

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202411396739.9

    申请日:2024-09-30

    Abstract: 本发明提供一种发光二极管及制作方法、LED芯粒,在该发光二极管的基板中通过激光隐切工艺形成有第一激光切割线,第一激光切割线包括多个间隔排布的激光孔洞,本发明通过增加激光在基板中的穿透路径,使得最终在聚焦于基板内部时形成更加狭长的激光孔洞,形成自身较深的第一激光切割线。深度增大的内部划痕有利于激光热能尽快向外界释放,减少热能对加工物件的内部影响,从而提升加工直线度,减少毛刺、崩边等问题。同时,较深的内部划痕也降低了相连芯片之间的结合力,更利于裂片从而获得平直的芯片边缘。此外,狭长的激光孔洞在裂片后会在单个芯粒的侧壁留下较为浅显的凹坑,不会对芯粒侧壁造成过多侵蚀,从而降低芯粒沿凹坑处的折断风险。

    DBR结构、发光二极管及发光装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119300576A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411392078.2

    申请日:2024-09-30

    Abstract: 本申请提供了一种DBR结构、发光二极管及发光装置,该DBR结构依次包括:第一部分,包括若干个光学厚度大于0.1λ的第一材料层,以及至少一个光学厚度小于0.05λ的第一材料层;第二部分,其中第一材料层的光学厚度介于0.3λ至0.45λ之间;第三部分,其中第一材料层的光学厚度介于0.3λ至0.45λ之间,且第三部分的第一材料层的光学厚度差值大于第二部分的第一材料层的光学厚度差值。本申请提供的模组设计可以有效抵抗波长变化引起的大角度透光减弱问题,促进不同波段的光线均能从发光二极管的侧面和背面出射,且随着入射角的变化,该DBR结构对光线始终能够保持稳定均匀的透过率由此增加芯片亮度,提升出光的均匀性。

    一种知识图谱构建方法和装置、介质、电子设备

    公开(公告)号:CN119166833A

    公开(公告)日:2024-12-20

    申请号:CN202411551685.9

    申请日:2024-11-01

    Abstract: 本申请提供了一种知识图谱构建方法,属于人工智能与医疗领域,其通过构建用于抽取待识别数据中实体与实体关系的模型,对待识别数据进行实体与实体关系的抽取,将抽取的带识别数据的实体与现有词库进行匹配。本申请的技术方案能够清晰地展示实体、属性以及实体之间的关系。通过构建医疗领域的知识图谱,可将分散在互联网上的医疗健康信息进行有效的整合和关联,形成一个全面、系统的知识体系。用户就可以通过知识图谱提供的直观界面,快速、准确地获取所需的医疗信息,从而提高信息检索的效率和准确性。本申请的知识图谱构建装置可以高效地从海量数据中提取有用的医疗信息,准确地表示和存储该有效医疗信息,为用户提供便捷、智能的信息检索服务。

    一种金属磷硫化物纳米线及其制备方法、应用和电池

    公开(公告)号:CN119038507A

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202411165630.4

    申请日:2024-08-23

    Inventor: 黄富强 方裕强

    Abstract: 本发明公开了一种金属磷硫化物纳米线及其制备方法、应用和电池。该方法包括:将含有NPS3粉末和碱金属盐溶液的混合物反应一段时间即可;所述NPS3粉末中的金属N为Mn、Cd、Fe、Co、Ni、V、Zn、Mg、Sn、Hg和Pd中的一种或多种,所述碱金属盐的金属阳离子为K+、Rb+和Cs+中的一种或多种;所述反应的温度T、反应的时间t和所述碱金属盐溶液的浓度c满足下述方案中的任意一种:当所述碱金属盐中的阴离子不为F‑时,方案一:60℃≤T<100℃,c≥0.05M,t≥1h;方案二:15℃≤T<60℃,c>1.0M,t>8h;方案三:15℃≤T<60℃,0.05M<c≤1.0M,t>12h;当所述碱金属盐中的阴离子为F‑时,方案四:15℃≤T<100℃,c>0.05M,t>1h。本发明的制备方法工艺简单、成本低廉、利于工业化生产;所制备得到的金属磷硫化物纳米线具有增强电子导电性和高离子导电性,在制备钠离子电池时,还具有优异的钠存储性能。

    侵彻深度预测方法、系统、模型建立方法、介质及设备

    公开(公告)号:CN117195628B

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202311106606.9

    申请日:2023-08-30

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本申请提供一种侵彻深度预测方法、系统、模型建立方法、介质及设备,其中,侵彻深度预测模型建立方法,包括:基于弹丸温度场建立弹靶模型,进行不同工况仿真,记录弹丸速度、弹丸着靶角度、弹丸温度和弹丸侵彻深度;以弹丸温度、弹丸速度和弹丸着靶角度为样本特征,以X和Y方向侵彻深度为样本标签,构建弹丸侵彻数据集;从弹丸侵彻数据集中的样本形成训练集;对弹丸侵彻数据集归一化处理以去除量纲;建立BP神经网络模型;将训练集输入BP神经网络模型中训练,在达到预设终止条件时,停止训练,得到侵彻深度预测模型。本申请基于弹丸温度建立起弹丸侵彻深度预测模型,并基于此模型形成侵彻深度预测方法,提高了侵彻深度预测准确性。

    一种发光二极管及其制造方法及显示装置

    公开(公告)号:CN118969812A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202410911169.6

    申请日:2024-07-08

    Abstract: 本发明提供一种发光二极管及其制造方法及显示装置,本发明的发光二极管中,发光外延结构包括上下叠置的蓝光外延结构和绿光外延结构,以及与绿光外延结构间隔排布的红光外延结构。外延结构的上述设置方式,可以分别对红光外延结构和蓝光及绿光外延结构进行转移并键合,降低了外延结构转移的难度,提高转移良率以及产品的可靠性。各个外延结构均具有单独控制的电极结构,能够实现各色芯片独立控制,实现全色域显示。

    一种超导隧道结、超导电子元件及其制备方法

    公开(公告)号:CN111864047B

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN201910337180.5

    申请日:2019-04-25

    Inventor: 王津洲

    Abstract: 本发明提供一种超导隧道结、超导电子元件及其制备方法。超导隧道结包括下电极,形成在下电极上的介电层,以及形成在介电层上方的上电极,下电极和上电极均包括多层结构,多层结构包括不同的超导材料层,超导隧道结形成异质类超导隧道结,自介电层至上电极、下电极的方向上,多层不同超导材料的超导能带逐渐增大。在上电极和下电极均为两层结构形成的约瑟夫生隧道结及包括其的电子元件中,异质类超导材料的界面能带差异和安德列耶夫反射交互作用,介于两层第一类超导材料之间的第二类超导材料约瑟夫生隧道结形成共振腔。该共振腔的共振频率可以达到500GHz~900GHz,填补次微米波和红外线光谱之间的空隙带,因此可用于宽带超高频振荡器。

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