公开(公告)号：CN101310037B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200680042907.8

申请日：2006-06-08

申请人： 西格玛-奥吉奇公司

发明人： P·海斯 ,  P·威廉姆斯 ,  宋福全

IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553

摘要： 适合于氧化铪或氧化锆的化学气相沉积、尤其是ALD的前体具有通式(I)：(R1Cp)2MR2R3，其中Cp表示环戊二烯基配体，R1是H或 Cp配体的取代烷基、烷氧基或氨基，R2和R3是烷基、烷氧基或氨基，并且M是铪或锆。

公开(公告)号：CN102137952A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200980123702.6

申请日：2009-05-22

申请人： 西格玛-奥吉奇公司

发明人： P·R·查尔克 ,  P·N·黑斯

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L21/314

CPC分类号： C23C16/405 ,  C23C16/45553

摘要： 提供了用金属源前体和根据式I：Ce(L)x(式I)铈基β-二酮合物前体通过化学相沉积方法形成和稳定高κ电介质膜的方法，其中：L是β-二酮基；并且x是3或4。还提供了用根据式I的铈前体改善半导体器件高κ栅性能的方法。还提供了包含氧化铪、氧化钛或其混合物、并且还含有使电容率维持或增加的铈原子的数量的高κ电介质膜。

公开(公告)号：CN102084026A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980120100.5

申请日：2009-05-29

申请人： 西格玛-奥吉奇公司

发明人： R·坎乔里亚 ,  R·奥德德拉 ,  J·安西斯 ,  N·博格

IPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/455 ,  C07F15/00

CPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/45525

摘要： 提供了通过原子层沉积形成含钌的膜的方法。该方法包含将至少一种前体运送到基材，该至少一种前体对应于式I：(L)Ru(CO)3其中：L选自线型或支链的C2-C6烯基以及线型或支链的C1-6烷基；并且其中L任选地被一种或多种取代基取代，所述取代基独立地选自C2-C6烯基，C1-6烷基，烷氧基和NR1R2；其中R1和R2独立地是烷基或氢。

公开(公告)号：CN102066608A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200980123701.1

申请日：2009-05-22

申请人： 西格玛-奥吉奇公司

发明人： P·R·查尔克 ,  P·N·海斯

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45553 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45531

摘要： 提供了用金属源前体和根据式I：Ti(L)x钛基β-二酮合物前体通过气相沉积方法形成和稳定高κ电介质膜的方法，其中，L是β-二酮基；并且x是3或4。进一步提供了用根据式I的钛前体改善半导体器件高κ栅性能的方法。还提供了包含根据式I的钛前体的高κ电介质膜形成点阵。

公开(公告)号：CN101977920A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980110073.3

申请日：2009-03-19

申请人： 西格玛-奥吉奇公司

发明人： 陈义彰 ,  陈骁鸿

IPC分类号： C07F9/09

CPC分类号： C07F9/091

摘要： 含磷化合物在分馏之前用至少一种金属化合物处理以收集含有约20ppb或更少砷的纯化馏分。纯化的含磷化合物用于制备电子半导体制造用电子材料。合适的金属化合物包括铁、铜、镍、钴或锌的盐、氧化物和/或硫化物。

公开(公告)号：CN101827956A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200880106796.1

申请日：2008-09-10

申请人： 西格玛-奥吉奇公司

发明人： P·N·海斯 ,  A·金斯利 ,  宋福全 ,  P·威廉姆斯 ,  T·利斯 ,  H·O·戴维斯 ,  R·奥迪德拉

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45553

摘要： 提供了通过原子层沉积形成含钛的膜的方法。该方法包含将至少一种前体送递到基材，其中所述至少一种前体在结构上对应于式(I)，其中：R是C1-C6-烷基；n是零、1、2、3、4或5；L是C1-C6-烷氧基或氨基，其中所述氨基任选地、独立地被C1-C6-烷基取代1或2次。

公开(公告)号：CN101815807A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200880106859.3

申请日：2008-09-10

申请人： 西格玛-奥吉奇公司

发明人： P·N·黑斯 ,  A·金斯里 ,  宋福全 ,  P·威廉姆斯 ,  T·利斯 ,  H·O·戴维斯 ,  R·奥德拉

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45553

摘要： 提供了通过原子层沉积形成含金属的膜的方法。该方法包含将至少一种前体基材送递到基材，其中所述至少一种前体在结构上对应于式(II)：其中：M是Hf或Zr；R是C1-C6-烷基；n是零、1、2、3、4或5；L是C1-C6-烷氧基。提供了通过液体注射原子层沉积形成含金属的膜的其它方法。这些方法包含将至少一种前体送递到基材，其中所述至少一种前体在结构上对应于式(III)：其中M是Hf或Zr；R是C1-C6-烷基；n是零、1、2、3、4或5；L是氨基，其中所述氨基任选地、独立地被C1-C6-烷基取代1或2次。

公开(公告)号：CN101801987A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106320.8

申请日：2008-07-24

申请人： 西格玛-奥吉奇公司

发明人： R·坎卓利亚 ,  R·奥迪德拉 ,  N·宝格 ,  D·韦伯尼

IPC分类号： C07F15/00 ,  C07F15/02 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/16 ,  C07F17/02 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45525

摘要： 提供了通过化学相沉积，特别是原子层沉积(ALD)和化学蒸气沉积(CVD)形成含金属的薄膜的方法。该方法包含将至少一种有机金属前体送递到基材，其中所述至少一种前体在结构上对应于式(II)，其中：M是Ru、Fe或Os；R是C1-C10-烷基；X是C1-C10-烷基；和n是零、1、2、3、4或5。进一步提供了制备本文公开的前体的方法。

公开(公告)号：CN101310037A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200680042907.8

申请日：2006-06-08

申请人： 西格玛-奥吉奇公司

发明人： P·海斯 ,  P·威廉姆斯 ,  宋福全

IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553

摘要： 适合于氧化铪或氧化锆的化学气相沉积、尤其是ALD的前体具有通式(I)：(R1Cp)2MR2R3，其中Cp表示环戊二烯基配体，R1是H或Cp配体的取代烷基、烷氧基或氨基，R2和R3是烷基、烷氧基或氨基，并且M是铪或锆。

公开(公告)号：CN102177374B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN200980139526.5

申请日：2009-08-12

申请人： 西格玛-奥吉奇公司

发明人： R·胡布施 ,  H·里本施塔尔

IPC分类号： F16K11/22 ,  F17C13/04

CPC分类号： F16K11/0712 ,  F16K11/10 ,  Y10T137/87169

摘要： 提供一种阀组件，该阀组件可操作，以用例如液体填充和/或再填充容器，同时从容器中排出伴随液体产生的过多蒸汽，以释放在容器中由液体产生的压力，并且可操作，以将载运气体引入到容器中，供从在容器内的液体回收蒸汽产品使用。阀组件包括壳体，该壳体限定两个孔眼和多个端口，这些端口穿过壳体与孔眼连通地延伸。阀芯布置在每个孔眼内，以选择性地控制液体、伴随液体产生的过多蒸汽、载运气体、及由载运气体从液体回收的蒸汽产品穿过壳体的移动。