耐等离子刻蚀陶瓷及其制备方法和等离子刻蚀设备

    公开(公告)号:CN111620692B

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202010294358.5

    申请日:2020-04-15

    发明人: 陈鹏 谭毅成

    摘要: 本发明涉及一种耐等离子刻蚀陶瓷及其制备方法和等离子刻蚀设备。上述耐等离子刻蚀陶瓷的制备方法包括如下步骤:按质量百分比计,称取如下原料:纳米级氧化钇粉体64.7%~100%及纳米级氧化锆粉体0%~35.3%,纳米级氧化钇粉体的纯度不低于90.0%;将原料进行烧结,得到耐等离子刻蚀陶瓷,其中,烧结温度为1600℃~2000℃,烧结时间为1h~2h。上述耐等离子刻蚀陶瓷的制备方法能够使制备得到的陶瓷的耐刻蚀性较好,且致密度高、力学性能较好。

    氧化铝陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN109534799B

    公开(公告)日:2021-08-27

    申请号:CN201811583171.6

    申请日:2018-12-24

    摘要: 本发明涉及一种氧化铝陶瓷及其制备方法和应用。该氧化铝陶瓷的制备方法,包括如下步骤:将原料混合,得到混合料,其中,按照质量百分含量计,原料包括如下组分:40%~65%的氧化铝、5%~10%的氮化硼、5%~10%的氮化铝、5%~10%的碳化钛、5%~10%的碳化硼、5%~10%的碳化锆及10%~20%的助烧剂,助烧剂选自三氧化二铁、氧化钠、氧化钾、二氧化硅、氧化钙、二氧化钛、氧化镁、氧化锌、氧化锂及碳化硅中的至少两种;将混合料成型,得到坯体;将坯体烧结,得到氧化铝陶瓷。上述制备方法制备得到的氧化铝陶瓷兼具较高的硬度和较高的热超声键合效率。

    陶瓷劈刀及其制作方法和半导体封装方法

    公开(公告)号:CN111546520A

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN202010401716.8

    申请日:2020-05-13

    发明人: 朱佐祥 谭毅成

    IPC分类号: B28D5/00 B23K26/00 H01L21/60

    摘要: 本发明涉及一种陶瓷劈刀及其制作方法和半导体封装方法。上述陶瓷劈刀的制作方法包括如下步骤:提高陶瓷劈刀半成品,陶瓷劈刀半成品具有倒角;对陶瓷劈刀半成品的倒角外的区域进行激光处理,以在陶瓷劈刀半成品表面形成若干间隔排列的凹槽和凸起,相邻凹槽和凸起的间距为1μm~3μm,相邻凹槽的间距为3μm~12μm,得到陶瓷劈刀。上述陶瓷劈刀的制作方法能够提高焊线的使用寿命和焊线质量。

    黑色氧化锆陶瓷及其制备方法、手机背板和手机

    公开(公告)号:CN107746275B

    公开(公告)日:2020-08-11

    申请号:CN201710971062.0

    申请日:2017-10-18

    摘要: 本发明涉及一种黑色氧化锆陶瓷及其制备方法、手机背板和手机。该黑色氧化锆陶瓷的制备方法,包括如下步骤:将氯氧化锆、可溶性钇盐、可溶性铝盐、黑色色料和水混合得到混合液,在持续搅拌的条件下向混合液中加入氨水,而使混合液的pH值始终为9~10,以形成溶胶;清洗去除溶胶中的氯离子,得到前驱体;将前驱体在温度为180℃~230℃、压力为0.5MPa~1.5MPa的条件下进行水热反应,得到反应物;将反应物干燥,得到混合粉体;将混合粉体成型,得到生坯;将生坯烧结,得到黑色氧化锆陶瓷。上述方法得到的黑色氧化锆陶瓷具有较高的强度、较好的韧性和较小的色差。

    陶瓷过滤膜及其制备方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110256112A

    公开(公告)日:2019-09-20

    申请号:CN201910562568.5

    申请日:2019-06-26

    摘要: 本发明涉及一种陶瓷过滤膜及其制备方法。该陶瓷过滤膜的制备方法,其包括如下步骤:将多孔陶瓷基体在酸溶液中浸泡,然后在700℃~900℃下热处理;使用封孔剂对热处理的多孔陶瓷基体进行封孔处理;使用陶瓷浆料在封孔处理的多孔陶瓷基体的一个表面上形成膜坯层;将形成有膜坯层的多孔陶瓷基体烧结处理,得到陶瓷过滤膜。上述制备方法制备得到的陶瓷过滤膜兼具较高的强度和较高的纯水通量。

    氧化铝陶瓷及其制备方法和陶瓷劈刀

    公开(公告)号:CN109485393A

    公开(公告)日:2019-03-19

    申请号:CN201811435382.5

    申请日:2018-11-28

    摘要: 本发明涉及一种氧化铝陶瓷及其制备方法和陶瓷劈刀,该氧化铝陶瓷的制备方法包括如下步骤:将陶瓷粉料混合后成型,得到坯体,按照质量百分含量计,陶瓷粉料包括如下组分:40%~60%的球形氧化铝、5%~15%的球形氧化铬、20%~30%的球形氧化锆及10%~20%的球形助烧剂,球形氧化铝、球形氧化铬、球形氧化锆及球形助烧剂的粒径均为纳米级;将坯体在1400℃~1500℃下常压烧结,然后在保护气体的气氛中在1300℃~1400℃下热等静压烧结,得到氧化铝陶瓷。上述氧化铝陶瓷的制备方法制备得到的氧化铝陶瓷兼具较高的弯曲强度、较好的耐磨性及较高的硬度。

    微孔陶瓷、陶瓷发热体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN109437875A

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201811511801.9

    申请日:2018-12-11

    摘要: 本发明涉及一种微孔陶瓷、陶瓷发热体及其制备方法和应用。该一种微孔陶瓷的制备方法,包括如下步骤:将原料混合得到混合料,其中,按照质量百分含量计,原料包括如下组分:50%~70%的莫来石、5%~20%的烧结助剂及20%~40%的造孔剂,烧结助剂为熔点小于或等于500℃的玻璃粉,造孔剂为纤维状,且造孔剂的长度为100微米~200微米,直径为40微米~60微米;将混合料成型得到生坯;将生坯烧结,得到微孔陶瓷。上述制备方法制备得到的微孔陶瓷兼具较高的通气孔率和较大的强度。

    一种高性能96氧化铝陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN105859263B

    公开(公告)日:2019-03-05

    申请号:CN201610290900.3

    申请日:2016-05-04

    摘要: 本发明涉及电子材料技术领域,具体为一种高性能96氧化铝陶瓷及其制备方法。本发明通过向α‑Al2O3中添加适量的SiO2、MgO和CaO,可显著提高所制备的96氧化铝陶瓷的绝缘性能、介电强度、力学性能及导热性。通过控制制备工艺可制备性能稳定的96氧化铝陶瓷,所制备的96氧化铝陶瓷在室温及25%湿度环境中的体积电阻率可高达7×1014Ω·cm,在室温及70%湿度环境中其体积电阻率仍可保持在1012的数量级以上,当温度为600℃时其体积电阻率还能达到108数量级以上;室温条件下96氧化铝陶瓷的介电强度高达30kV/mm,抗弯强度高达约400MPa,维氏硬度高达14GPa。