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公开(公告)号：CN118642011A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411118324.5
申请日：2024-08-15
申请人： 浙江朗德电子科技有限公司 , 上海交通大学
摘要： 本申请涉及MEMS集成微制造的技术领域，尤其是涉及一种无掩膜磁通门传感器芯片集成制造方法，包括以下步骤：获取待处理衬底，并在待处理面获取底层凹槽阵列以及底层导电铜膜，以形成底层线圈；在底层线圈的两端留出导电通孔；采用3D打印以获取磁芯放置凹槽，并继续保留导电通孔；采用电化学沉积增材3D打印纯铜填满导电通孔以形成铜连接导体；采用3D打印形成顶层线圈的顶层凹槽阵列图形和顶层电极凹槽图形；采用电化学沉积增材3D打印纯铜以获取顶层铜膜，顶层铜膜填满顶层凹槽阵列，同时填满顶层电极凹槽形成铜电极，形成完整的无掩膜磁通门传感器芯片。本申请简化了制造工艺流程，缩短了制造周期，降低了芯片成本。
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公开(公告)号：CN118299423A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410386790.5
申请日：2024-04-01
申请人： 浙江朗德电子科技有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/66 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/06
摘要： 本申请涉及一种GAA结构的MOSFET，其包括硅衬底；半导体层，包括源区、漏区以及纳米线沟道；栅氧层；栅极多晶硅，将纳米线沟道全环绕包裹；源极；漏极；其中，所述半导体层与硅衬底为一硅晶圆一体成型。一种GAA结构的MOSFET的制备方法，主要包括以下步骤：S1：提供硅基体；S2：成型沟道形貌；S3：形成侧壁掩膜层；S4：深度刻蚀硅基体；S5：湿法刻蚀硅基体；S6：形成栅氧层；S7：形成栅极多晶硅；S8：沉积钝化层；S9：形成源极和漏极。本申请具有降低GAA结构的MOSFET生产成本的效果。
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公开(公告)号：CN116593764B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202310354120.0
申请日：2023-03-29
申请人： 浙江朗德电子科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种高精度自标定电流传感器模块及其标定方法，属于传感器自标定技术领域，包括：分流器，串联于待测试回路中，用于获取待测试回路上的电流；温度检测电路，用于检测分流器的温度并输出测试电压；开关采样电路，用于获取流经所分流器的采样信号；主控电路，预设有补偿公式，基于采样信号和测试电压分析并计算电流器补偿后的电流数据；补偿公式包括：温度换算公式，基于测试电压计算检测温度；补偿因子计算公式，基于检测温度计算所述分流器压降的补偿因子；电阻值计算公式，基于检测温度计算分流器的补偿电阻。本申请具有实现电流传感器的高精度自标定，减少电池管理系统的标定时间，缩小整车电流标定周期的效果。
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公开(公告)号：CN116666440B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310924636.4
申请日：2023-07-26
申请人： 浙江朗德电子科技有限公司
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28 , B82Y40/00
摘要： 本申请涉及一种底栅极MOS管及制作方法，该底栅极MOS管依次包括衬底、绝缘介质层、半导体层以及钝化层；所述半导体层设置有沟道、源区和漏区，所述钝化层覆盖于沟道；所述源区设置有源极，所述漏区设置有漏极；所述半导体层位于沟道的一侧设置有栅区缺口，所述衬底位于栅区缺口处设置有栅极。该制作工艺S1：提供衬底；S2：设置绝缘介质层；S3：设置半导体层；S4：于半导体层表面形成沟道和栅区缺口，所述栅区缺口位于沟道的一侧；S5：设置钝化层；S6：于钝化层形成三个缺口；S7：掺杂，对漏区、源区的半导体层进行掺杂；S8：设置源极、漏极和栅极。本申请具有降低MOS管栅极电阻和MOS管的亚阈值摆幅，并且提高MOS管跨导特性的效果。
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公开(公告)号：CN115925449B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202211732941.5
申请日：2022-12-30
申请人： 浙江朗德电子科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种尾气传感器芯片用功能电极的制备方法，涉及芯片制造方法，包括以下步骤：在反应釜中配置电解液,并搅拌机构作用于电解液，使溶质充分搅拌混合均匀，用高分子导电膜作为阴极，在高分子导电膜上沉积形成湿膜，湿膜制作完成后用去离子水清洗，25‑30℃环境温度下沥水风干30分钟；将湿膜覆盖在氧化锆陶瓷素胚两侧，100N压力压合，保压50S，揭掉两侧高分子导电膜，冲切成合适大小的陶瓷片素胚备用，芯片陶瓷片素胚层压，芯片900‑1100℃烧结。本申请能降低对材料的要求，烧结后电阻一致性高、孔隙率均匀，能很好的满足传感器芯片使用要求。
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公开(公告)号：CN116593075B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310883934.3
申请日：2023-07-19
申请人： 浙江朗德电子科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种氢气传感器检测单元、制备方法及检测方法，涉及氢气传感器的领域，其包括检测基体，包括基座和检测柱，所述基座和检测柱一体设置，所述检测柱上设置有热敏电阻，所述热敏电阻的数量为两个，两所述热敏电阻沿检测柱的长度方向布置且具有一定的间隔；检测腔，包括套筒和锥形筒，所述锥形筒和套筒同轴设置且固定连接，所述套筒套设于检测柱上且远离锥形筒的一端固定连接于基座上，所述套筒和检测柱之间存在空间，所述锥形筒的横截面的直径从靠近套筒的一侧至远离套筒的一侧逐渐增大。本申请具有通过时间差来得到扩散速度，从扩散速度方面来评价氢气泄漏的严重度，提高了氢气泄漏检测的准确性和多方面性的效果。
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公开(公告)号：CN116593075A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310883934.3
申请日：2023-07-19
申请人： 浙江朗德电子科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种氢气传感器检测单元、制备方法及检测方法，涉及氢气传感器的领域，其包括检测基体，包括基座和检测柱，所述基座和检测柱一体设置，所述检测柱上设置有热敏电阻，所述热敏电阻的数量为两个，两所述热敏电阻沿检测柱的长度方向布置且具有一定的间隔；检测腔，包括套筒和锥形筒，所述锥形筒和套筒同轴设置且固定连接，所述套筒套设于检测柱上且远离锥形筒的一端固定连接于基座上，所述套筒和检测柱之间存在空间，所述锥形筒的横截面的直径从靠近套筒的一侧至远离套筒的一侧逐渐增大。本申请具有通过时间差来得到扩散速度，从扩散速度方面来评价氢气泄漏的严重度，提高了氢气泄漏检测的准确性和多方面性的效果。
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公开(公告)号：CN106141672B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201610711586.1
申请日：2016-08-24
申请人： 浙江朗德电子科技有限公司
摘要： 本发明提出了一种片式氧传感器探头安装设备，包括环形的双边皮带输送系统，皮带上架设若干输送车，所述输送车顶部设置内部带有芯片固定夹的基座固定夹，其行进路径依次经过预压工位、终压工位以及铆压工位，以克服上述手动压机流水线生产过程中定位难、缺少缓冲的问题。
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公开(公告)号：CN106404841A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610722765.5
申请日：2016-08-24
申请人： 浙江朗德电子科技有限公司
IPC分类号： G01N27/00
摘要： 本发明公开了一种传感器芯片结构，包括接触座以及配合芯片，所述接触座两侧开口，内部安装接触端子，所述配合芯片包括芯片本体及其一端表面的电极，配合芯片带有电极的一端插入接触座一侧的开口内，所述电极与接触端子相接触形成电连接电极表面通过成膜工艺覆合有金属缓冲层；通过缓冲层的作用，避免了接触端子对芯片Pt电极层产生擦伤及穿透损坏，当接触端子将缓冲层划伤穿透后，正好与缓冲层下面的Pt电极层接触，实现可靠的电连接。
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公开(公告)号：CN106181040A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610717506.3
申请日：2016-08-24
申请人： 浙江朗德电子科技有限公司
IPC分类号： B23K26/28 , B23K26/064 , B23K26/70 , B23K26/08
摘要： 本发明公开了一种圆周面自动焊接装置，包括固定于机架焊接室内一侧的激光器，通过焊接位置控制模块与切光模块的配合，能够实现焊接的全自动操作提高生产效率，增加激光器寿命，降低激光功率波动，避免错焊与漏焊故障，避免圆周焊缝的虚焊、焊缝融化和焊穿故障。
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