本申请涉及MEMS集成微制造的技术领域，尤其是涉及一种无掩膜磁通门传感器芯片集成制造方法，包括以下步骤：获取待处理衬底，并在待处理面获取底层凹槽阵列以及底层导电铜膜，以形成底层线圈；在底层线圈的两端留出导电通孔；采用3D打印以获取磁芯放置凹槽，并继续保留导电通孔；采用电化学沉积增材3D打印纯铜填满导电通孔以形成铜连接导体；采用3D打印形成顶层线圈的顶层凹槽阵列图形和顶层电极凹槽图形；采用电化学沉积增材3D打印纯铜以获取顶层铜膜，顶层铜膜填满顶层凹槽阵列，同时填满顶层电极凹槽形成铜电极，形成完整的无掩膜磁通门传感器芯片。本申请简化了制造工艺流程，缩短了制造周期，降低了芯片成本。