公开(公告)号：CN201167097Y

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200720126437.5

申请日：2007-11-20

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  毕臻 ,  边旭明 ,  侯洵 ,  王东

IPC: H01L31/101

Abstract: 本实用新型公开了一种垂直结构的ZnO紫外光电导探测器，包括一衬底，衬底上依次沉积有ITO薄膜和ZnO薄膜层，ZnO薄膜层腐蚀后露出ITO薄膜形成ZnO台面，在ZnO台面上表面沉积有欧姆接触电极。本实用新型的垂直结构的ZnO紫外光电导探测器，其制备过程简单，成本低廉，易于控制，有利于光电集成，且容易产业化，有很高的实用价值。

公开(公告)号：CN201060051Y

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200720031739.4

申请日：2007-04-30

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  边旭明 ,  毕臻 ,  徐庆安 ,  杨晓东 ,  侯洵

IPC: G01J1/44

Abstract: 本实用新型公开了一种高性能ZnO MSM结构的紫外光电导探测器，该结构包括一衬底，该衬底上沉积有ZnO薄膜层，在ZnO薄膜层上刻有作为欧姆接触的叉指电极图形，所述的叉指电极的对数为30～50，叉指电极的间距和指宽分别为10μm和30μm，叉指电极图形上还沉积有Al层或透明导电薄膜ITO层。本实用新型的ZnO MSM结构的紫外光电导探测器，灵敏度高、响应速度快，整个制备过程简单，成本低廉，易于控制；若在Si基衬底上制作，则可与常规的Si工艺兼容，有利于光电集成，且容易产业化，有很高的实用价值。