公开(公告)号：CN108975911A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810990286.0

申请日：2018-08-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  张星 ,  袁颖 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/465 ,  C04B35/453 ,  C04B35/48

CPC classification number: C04B35/495 ,  C04B35/457 ,  C04B35/465 ,  C04B35/48 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明提供一种复相岩盐结构超低损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法，组成通式为Li3+aMg2-b/3X1-2b/3Yb+cO6+2c·dZ，X为Nb5+或Ta5+，Y为Ti4+、Sn4+或Zr4+，Z为ZnO或LiF，0.03≤a≤0.12，0.12≤b≤0.38，0≤c≤0.15，0wt％≤d≤5wt％，制备方法为按照通式配料，经过第一次球磨混合、干燥、过筛，预烧，再经过第二次球磨混合，干燥，造粒，排胶，在空气中烧结制成；其制成品的晶相为有序正交相岩盐结构和无序立方相岩盐结构的复合相；本发明提供的微波介质陶瓷材料在两种不同岩盐结构成分可调的情况下，呈现了较优异的性能：其相对介电常数εr在8.8～17.9之间可调，Q×f值为82000GHz～128000GHz，谐振频率温度系数τf在-33ppm/℃～+11ppm/℃之间可调，制备工艺简单，并且性能稳定，满足现代微波器件的应用需求。

公开(公告)号：CN106145931B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201610450213.3

申请日：2016-06-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  方梓烜 ,  司峰 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/465 ,  C04B35/47 ,  C04B35/457 ,  C04B35/48 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明公开了一种超低损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于电子信息功能材料与器件技术领域。本发明陶瓷材料的化学通式为Li2+a(Mg1‑bXb)3YO6·cZ，其中，X为Ca2+或Sr2+，Y为Ti4+、Sn4+或Zr4+，Z为MgO、ZnO、CaF2中的任一种或其组合，0.03≤a≤0.15，0.01≤b≤0.04，0≤c≤0.15。本发明微波介质陶瓷材料的原料按照所述化学通式配料，经过第一次球磨混合，在980～1200℃下预烧，再经过第二次球磨混合，在1250～1400℃下烧结制成；其制成品的晶相为有序岩盐结构立方相。本发明提供的微波介质陶瓷材料在性能上实现了较大提升，其相对介电常数εr在8～20之间可调，品质因数Q×f值为92000GHz～153000GHz，同时，谐振频率温度系数τf满足‑23ppm/℃～+5ppm/℃，并且性能稳定，能够满足现代微波器件的应用需求。

公开(公告)号：CN107382305A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710575593.8

申请日：2017-07-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  方梓烜 ,  张星 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/04 ,  C04B35/457 ,  C04B35/48 ,  C04B35/622

Abstract: 微波介质陶瓷材料及制备方法,属于电子信息功能材料制备技术领域。本发明的微波介质陶瓷材料的化学通式为Li2/3(1-x-y)A1/3(1-x-y)MgxByO，其中，A为Ti、Sn、Zr之中的至少一种，B为Ca、Zn、Ni、Co之中的至少一种；0＜x+y≤4/7，0≤x＜4/7，0＜y＜4/7。本发明的微波介质陶瓷材料中不含Pb，Cd等挥发性有毒金属，可广泛应用于卫星通信中介质谐振器、滤波器、振荡器等微波器件中应用，绿色环保无污染。

公开(公告)号：CN106631001A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201611020523.8

申请日：2016-11-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  熊喆 ,  张星 ,  方梓烜 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/465 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明提供一种Mg‑Ca‑Ti基微波多层陶瓷电容器用介质材料及其制备方法，原料包括MgO、TiO2、ZnO、CaO、BaO、SiO2、Nd2O3和Nb2O5；各组份的质量百分比含量为：MgO19.1～23.1％；TiO255.1～61.2％；ZnO11.4～15.6％；CaO2.7～4.0％；BaO1.8～3.2％；SiO20.7～2.0％；Nd2O30.1～1.0％；Nb2O50.1～1.0％，上述原料经球磨混合、850～950℃下预烧和1070～1145℃下烧结制成介质材料；本发明的微波MLCC用介质材料具有低的介质损耗、高的介电常数和稳定的介电温度系数，环保节能，容易实现材料的稳定生产，原材料在国内充足。

公开(公告)号：CN106025458A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610340961.6

申请日：2016-05-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钟朝位 ,  陈松 ,  陶煜 ,  刘稷 ,  张树人

IPC: H01P1/203 ,  H01P7/08 ,  C04B35/48 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01P1/203 ,  C04B35/48 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3284 ,  H01P7/08

Abstract: 本发明提供一种微带陶瓷滤波器，包括矩形的具有开口的环形谐振器，所述环形谐振器上与开口相对的一侧设有向环形谐振器内部延伸的短截线，本发明还提供一种上述微带陶瓷滤波器的陶瓷基板的制备方法，包括如下步骤：陶瓷粉料的制备、球磨、预烧、造粒、烧结、制作基板；本发明利用高介电常数的陶瓷基板，将滤波器的尺寸小型化；在电路结构中，使四个环形谐振器对称，上层两个谐振器采用电耦合，两层相邻的谐振器采用混合耦合，下层两个谐振器采用磁耦合，引入传输零点，将通带边缘的抑制能力提高。

公开(公告)号：CN105693235A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610154058.0

申请日：2016-03-17

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  方梓烜 ,  孙成礼 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3231 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/725

Abstract: 本发明提供一种高介微波介质陶瓷材料，材料化学通式为(Ca0.35Li0.25Nd0.35)(Ti1-xDx)O3，其中0.01≤x≤0.05，D的组成为VW，V代表价态高于四价的Ta，W代表价态低于四价且平均离子半径接近于Ti4+的单个或多种元素，V和W可以同时取代或单独取代；本发明还提供一种高介微波介质陶瓷材料的制备方法，包括步骤：配料、球磨、烘干过筛、预烧、造粒、模压成型、烧结；本发明制得的材料具有高介电常数和较高Q×f值，可调的频率温度系数。配方中不含Pb，Cd等挥发性有毒金属，性能稳定，能够满足现代微波器件的应用需求，原材料在国内供应充足，价格相对低廉，使高性能微波陶瓷的低成本化成为可能。

公开(公告)号：CN105272362A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510760933.5

申请日：2015-11-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钟朝位 ,  陶煜 ,  唐斌

IPC: C04B41/50 ,  C04B41/85

Abstract: 本发明提供一种晶界层半导体陶瓷片氧化剂涂覆料及其制备方法，涂覆料组分包括：Cu2O：3～9mol％；B2O3：20～25mol％；SiO2：48～60mol％；MnO2：1～4mol％；La2O3：15～20mol％，涂覆料浆料通过采用溶胶凝胶法制备的超细粉体添加增塑剂和消泡剂后在控制PH值的前提下进行球磨制得，本发明涂覆料避免使用含Pb的掺杂剂，制得的半导体陶瓷片介电常数εr为26000～35000，损耗tgδ值为0.4％～1.0％，电容温度变化率△C/C(％)(-55℃～125℃)在±15％以内，该涂覆料具有均匀细小的颗粒度，制备方法简便，工艺容易控制，对晶界层半导体陶瓷片性能具有决定性的作用。

公开(公告)号：CN103641469B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201310632846.2

申请日：2013-12-02

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  李皓 ,  袁颖 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/20 ,  C04B35/622

Abstract: 一种低损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于电子信息功能材料与器件技术领域。材料包含主晶相和添加剂，主晶相包括MgTiO3、Mg2SiO4和CaTiO3，主晶相中含有少量的Mg2TiO4；添加剂包括MnO2、Co2O3、CeO2和Nb2O5；经检测具有较低的损耗（Q×f在65000～85000GHz之间），介电常数可调（9～20之间）、频率温度系数稳定（±10ppm/℃以内）和良好的加工性，能够满足微波通信行业的应用需求。制备方法为固相烧结方法，具有简单、易控、环保和成本低廉的特点。

公开(公告)号：CN104844194A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510171001.7

申请日：2015-04-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐斌 ,  陈鹤拓 ,  郭霞 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种AB位同时取代的微波介质陶瓷材料及其制备方法，材料化学通式为(Ba1-aAa)6-3x(Nd1-bBb)8+2x(Ti1-cCc)18O54，C＝MN，其中x＝3/4,0.05≤a≤0.2,0.05≤b≤0.15,0.02≤c≤0.08，A代表取代A1位的二价Ca和Sr元素，B代表取代A2位的三价Sm和Bi元素，M代表价态高于四价的Nb，N代表价态低于四价且离子半径与Ti相近的其他一种或几种元素，M和N同时取代或单独取代，制备方法为按化学通式确定各自质量百分含量，经过球磨混合，1000～1150℃下预烧，然后在1250～1450℃下烧结制成；制得的材料介电常数和频率温度系数都可调同时保持较高的Q×f值，配方中不含Pb，Cd等挥发性或重金属，性能上实现了较大提升，原材料在国内供应充足，价格低廉，使高性能微波陶瓷的低成本化成为可能。

公开(公告)号：CN103408299B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201310300297.9

申请日：2013-07-17

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李恩竹 ,  段舒心 ,  周晓华 ,  钟朝位 ,  张树人

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种钛酸锌钡体系微波介质陶瓷材料及制备方法，涉及电子材料技术。其化学组成为：（1-x）BaTi4O9-xBaZn2Ti4O11-yM，0.15≤x≤0.25（摩尔比），M为降烧剂，0.0531≤y≤0.1005（重量比）。所述降烧剂组分及重量百分比为：Li2CO3：44.25%～53.47%、SiO2：4.82%～9.19%、B2O3:33.24%～37.71%、ZnO：0.88%～0.94%、Al2O3：3.75%～9.83%、添加物MnCO3和CuO:0.3%～1%、两者重量比为3:4～3:6。同时提出了制备该材料的具体方法。本发明制备的微波介质陶瓷，其烧结温度低（≤900℃），介电性能优异：介电常数20-30可调，品质因数高，谐振频率温度系数小。可用于低温共烧陶瓷系统、多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件的制造。