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公开(公告)号：CN116768626B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202310180379.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/499 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域，提供一种PbNb2O6基压电陶瓷材料及其制备方法，用以解决PbNb2O6基压电陶瓷难于烧结的问题。本发明压电陶瓷材料主体由PbNb2O6相构成，其分子式为：Pb0.97La0.02(Nb0.936‑xTi0.08Sn1.25x)2O6，x的取值范围为：0.00≤x≤0.10；该材料在Pb0.97La0.02(Nb0.936Ti0.08)2O6的基础上，通过Sn4+离子掺杂改性，使得PbNb2O6基压电陶瓷材料具有致密性好、居里温度高、介电损耗低等特点，为压电元器件向耐高温化、转化效率高化发展提供了一种有效解决方案；同时，该PbNb2O6基压电陶瓷材料的制备方法具有工艺简单、成本低等优点，利用工业化生产。
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公开(公告)号：CN116768616A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310528910.6
申请日：2023-05-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子信息功能材料及微电子器件领域，具体提供一种高Q值Li6Zn7Ti11O32基微波介质陶瓷材料及其制备方法，用以优化Li6Zn7Ti11O32微波介质陶瓷的微波介电性能、尤其品质因数Q×f。本发明中微波介质陶瓷材料的化学通式为：Li(1+x)6Zn7Ti11‑x(Li1/4Nb3/4)xO32、0.00
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公开(公告)号：CN111030637B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201911289374.9
申请日：2019-12-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种5G通信用多频谱集成自旋纳米振荡器，属于高频通信电子设备技术领域。所述多频谱集成自旋纳米振荡器包括两层以上不同磁性的磁性薄膜组成的耦合薄膜和位于耦合薄膜之上的非磁性重金属薄膜；其中，所述耦合薄膜中的磁性薄膜具有两种以上的饱和磁化强度，或者具有两种以上的有效磁各向异性场；所述自旋纳米振荡器在任意一个偏置磁场下，均具有两个以上的振荡频谱，振荡器输出频率范围在1～50GHz可调，满足5G通信用小型化信号源的需求。本发明自旋纳米振荡器具有结构简单、功耗低、多频点输出、器件体积小、易于CMOS集成等优势。
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公开(公告)号：CN116111363A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310134439.2
申请日：2023-02-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于谐振环的填充式太赫兹超材料宽带吸收器，属于太赫兹波功能器件技术领域。所述吸收器包括金属反射层、位于金属反射层之上的中间介质层、位于中间介质层之上的超材料结构层，所述超材料结构层由多个阵列排列的单元结构组成，单元结构包括第一方形谐振环和位于第一方形谐振环内的第二方形谐振环，第一方形谐振环和第二方形谐振环的四条边上设置大小相同的第一开口和第二开口，单元结构为轴对称图形；所述第一方形谐振环和第二方形谐振环的材料为铜、金、铝或银，第一开口和第二开口中填充金属钛或铂。本发明在传统开口谐振环的开口处引入高损耗金属进行填充，利用谐振环的谐振与开口填充处金属的高吸收，实现了吸收频带很宽的太赫兹吸收器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115498420A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210977545.2
申请日：2022-08-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于钛酸锶复合材料的太赫兹吸波器与制备方法，属于光电材料与器件技术领域。所述基于钛酸锶复合材料的太赫兹吸波器包括玻璃衬底，生长于玻璃衬底之上的ITO薄膜，位于ITO薄膜之上的介质超表面结构层；其中，介质超表面结构层由钛酸锶微粒和掺有金纳米颗粒的PDMS复合得到，钛酸锶微粒均匀分散于掺有金纳米颗粒的PDMS中，金纳米颗粒、钛酸锶微粒和PDMS的质量比为0.01：132：46。本发明采用钛酸锶微粒和掺有金纳米颗粒的PDMS的复合材料印刷得到介质超表面结构层，可通过控制钛酸锶微粒的体积比来调控复合材料的介电参数，得到的钛酸锶复合材料的介电常数实部和硅相当。
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公开(公告)号：CN112661509B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202011548592.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495
Abstract: 一种高Q值MgZrNb2O8基微波介质陶瓷材料，属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域。所述陶瓷材料的结构式为MgZr1‑xTixNb2O8，其中，0.1≤x≤0.4。本发明提供的高Q值微波介质陶瓷材料能够很好的满足当前移动通信技术领域高频化的发展趋势。本发明微波介质陶瓷材料的介电常数为20～28，品质因数为22355～130123GHz，谐振频率温度系数为‑29～‑46ppm/℃，适合用作微波谐振器、天线及相关电子线路基板材料。
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公开(公告)号：CN109575886B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201811579258.6
申请日：2018-12-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: C09K5/14
Abstract: 一种基于荷叶制备光热转换材料的方法，属于太阳能光热转换材料制备技术领域。包括：1)取新鲜的荷叶叶片，清洗，晾干；2)将上步处理后的荷叶叶片在﹣18～﹣24℃下冷冻12～24h，得到冷冻样品A；3)将冷冻样品A放入真空冷冻干燥箱中，在真空度为6～10Pa、温度为﹣30～﹣50℃的条件下干燥48～72h，得到干燥的样品B；4)将样品B在氮气气氛、温度为500～700℃条件下碳化4～6h，得到碳化荷叶。本发明基于荷叶制备光热转换材料的方法，具有制备成本低、重复性好、工艺简单和可实现大规模生产等优点，且得到的碳化荷叶具有亲水性、传输水通道、吸收光热强等性能，可应用于太阳能水蒸发领域。
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公开(公告)号：CN109437087B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201811298649.0
申请日：2018-11-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于面外磁各向异性层的自旋霍尔纳米振荡器，属于微波电子设备技术领域。所述纳米振荡器包括基片，以及依次形成于基片之上的面外磁各向异性的磁性薄膜层和非磁性重金属薄膜层。本发明提供的一种基于面外磁各向异性层的自旋霍尔纳米振荡器中，磁性薄膜层具有面外磁各向异性，相比于传统的基于面内磁各向异性的磁性材料，在相同的驱动电流密度下，面外磁各向异性磁性材料能够获得更大的磁矩进动角和微波输出功率；同时，通过调节电流强度可实现不同功率的高频微波输出，输出微波信号性能良好，且结构简单，功耗低，与CMOS工艺相兼容，易于集成。
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公开(公告)号：CN111048894A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911277481.X
申请日：2019-12-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于逆自旋霍尔效应的自旋电子天线阵列及其制备方法，属于高频电子信息设备技术领域。所述自旋电子天线阵列包括多个阵列排布的自旋电子天线单元以及单元间的电连接导体，所述自旋电子天线单元包括衬底，以及依次形成于衬底之上的低损耗磁性薄膜层和非磁性重金属薄膜层组成的异质结构，所述磁性薄膜应施加外偏置磁场进行磁化，或者具有自偏置特性，以调节天线的工作频率。本发明自旋电子天线阵列，结构简单，集成度高，易于在多种介质基板上加工制作，接收电磁波频率范围很宽，可通过改变磁性材料种类实现MHz，数GHz至数百GHz频段的电磁波接收，响应速度在ns至ps量级，可广泛应用于5G通信，无线传感网络等电子信息系统中。
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