S-枪磁控溅射源
    81.
    实用新型

    公开(公告)号:CN87212023U

    公开(公告)日:1988-03-23

    申请号:CN87212023

    申请日:1987-08-18

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 一种带有能直接向靶面喷工作气体的充气器、能对阴极靶[4]的底部和侧面进行有效冷却的水冷器和采用高导磁率的软磁材料制成的中心阳极的S—枪磁控溅射源。同已有的磁控溅射源比较,靶材利用率提高80%以上,溅射速率提高50%。对于集成电路、塑料制品、玻璃陶瓷、工艺品、金属零件的表面,应用装有本溅射源的磁控溅射机镀覆一层结合牢固的金属薄膜后,能提高其应用价值。应用本技术可方便地对现有的镀膜机进行改造。

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